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中芯集成-U 申請(qǐng) MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

天岳先進(jìn)擬定增募資不超3億元，用于8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅襯底制備技術(shù)提升項(xiàng)目

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

北京大學(xué)申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

大連理工大學(xué)“氮化鎵氣體傳感器及其制備方法、應(yīng)用”專利公布

清華大學(xué)申請(qǐng)半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備專利

北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

華為公司申請(qǐng)半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

化學(xué)所在制備強(qiáng)熒光二維共軛聚合物半導(dǎo)體材料方面獲進(jìn)展

北京大學(xué)申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

武漢新芯“半導(dǎo)體器件及其制備方法”專利公布

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

長(zhǎng)電科技申請(qǐng)光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

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