國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“p型AlGaN材料及其制備方法、紫外光電子器件的制備方法”的專利，公開號(hào)CN 119133328 A，申請(qǐng)日期為2024年11月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及一種p型AlGaN材料及其制備方法、紫外光電子器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，p型AlGaN材料的制備方法包括：在第一溫度下，通入有機(jī)金屬源和N源，生長(zhǎng)p型AlGaN材料；暫停通入有機(jī)金屬源，在第二溫度下保持一定時(shí)間，使p型AlGaN材料中的部分Ga原子逸出，從而在p型AlGaN材料中產(chǎn)生陽(yáng)離子空位；其中，第二溫度高于第一溫度，第二溫度與第一溫度的差值的范圍為20℃至200℃。由此，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度。