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廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江西兆馳半導(dǎo)體取得用于藍(lán)寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實(shí)現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

北方華創(chuàng)申請(qǐng)工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡(jiǎn)化了制造工藝

長(zhǎng)園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

格至達(dá)智能取得IGBT功率模塊專利，保證可靠性和耐用性

比亞迪半導(dǎo)體“存儲(chǔ)器測(cè)試方法、存儲(chǔ)器測(cè)試裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

格恩半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

華虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布

華海清科“晶圓干燥裝置和晶圓干燥方法”專利公布

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時(shí)破碎

華海清科“用于晶圓加工的承載頭及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“一種晶圓位置檢測(cè)裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

英諾賽科起訴英飛凌專利侵權(quán)

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

九奕半導(dǎo)體設(shè)備取得光刻機(jī)送料機(jī)構(gòu)專利，使硅片涂布更均勻

中微公司發(fā)明專利再獲中國(guó)專利獎(jiǎng)殊榮

北京航天賽德申請(qǐng)氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

中芯微取得半導(dǎo)體生產(chǎn)制造用光刻機(jī)專利，可實(shí)現(xiàn)移動(dòng)目的

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