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斯達(dá)半導(dǎo)體：擬定增募資不超35億元用于投資高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等

Wolfspeed WolfPACK采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無基板封裝，通過SiC技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級

SK Siltron開始為功率半導(dǎo)體生產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓！

為什么說碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料擁有光明的未來

碳化硅，十四五研發(fā)的第三代半導(dǎo)體熱門材料！

資本加速涌入SiC和GaN領(lǐng)域

特斯拉引爆的車用SiC市場

積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，華微電子邁進(jìn)發(fā)展快車道

SiC器件如何增加功率電路的安培容量

SiC基GaN射頻器件：國防航天航空之利器

多汽車廠商押注！SiC 成汽車領(lǐng)域新星

羅姆阿波羅筑后工廠的環(huán)保型新廠房竣工，為SiC功率元器件生產(chǎn)增能！

碳化硅戰(zhàn)場再添巨頭！被LG剝離前夕硅芯片公司擬增加SiC PMIC業(yè)務(wù)

聞泰投資了這家SiC功率器件公司，Get SiC 入場券

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測系統(tǒng)在SiC生長中的應(yīng)用

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

Cree與Tek將于12月23日聯(lián)合直播，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件發(fā)展及在OBC應(yīng)用

Cree | Wolfspeed 功率產(chǎn)品市場與應(yīng)用高級總監(jiān)Guy Moxey：SiC技術(shù)在電動公共汽車市場應(yīng)用

廣東芯聚能總裁周曉陽：SiC功率模塊在新能源汽車中的應(yīng)用及其挑戰(zhàn)

中電化合物半導(dǎo)體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進(jìn)展

南砂晶圓彭燕：SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

河北半導(dǎo)體研究所周幸葉：紫外探測用高性能4H-SiC雪崩光電二極管及其陣列

深圳市禾望電氣張孟杰:SiC器件在新能源變換器中的應(yīng)用

山大華天科技遲恩先：SiC器件在有源電力濾波器中的應(yīng)用

電子科技大學(xué)劉成藝：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt歐姆接觸電極在空氣中高溫退火處理的失效機(jī)理研究

SiC推進(jìn)電動化更上一層樓

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