近日，韓國貿(mào)易工業(yè)和能源部（MOTIE）宣布計劃增加對國內(nèi)SiC和GaN業(yè)務(wù)的投資支持。此外，SK集團最近加強了對化合物半導(dǎo)體的投資。預(yù)計隨著公司和政府投資的結(jié)合，SiC和GaN市場將加速增長。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體市場將看到加速增長的趨勢。2月1日，MOTIE宣布，它將加大對研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施擴展的支持，以從2021年起搶占全球SiC和GaN市場。
同時，國內(nèi)公司也開始進行一系列相關(guān)投資。1月28日，SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資了268億。Yes Power Technix成立于2017年，研究和開發(fā)SiC器件，其100mm和150mm生產(chǎn)線的SiC晶圓年生產(chǎn)能力為14,000片/年。此外，SK Group的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業(yè)務(wù)。
由于帶隙大于傳統(tǒng)Si半導(dǎo)體的3倍，因此SiC和GaN半導(dǎo)體每單位面積可承受的電壓是傳統(tǒng)半導(dǎo)體的10倍。作為參考，GaN和SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，遠高于當(dāng)前使用的Si的1.1 eV。
SiC / GaN技術(shù)的進步允許使用更小，更節(jié)能的芯片和更高的電流速率。展望未來，SiC的采用有望在DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電，工業(yè)應(yīng)用中的功率因數(shù)校正以及太陽能逆變器中加速應(yīng)用。在與SiC有關(guān)的行業(yè)中，重點企業(yè)包括韓國的RFHIC，metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外的Cree，Veeco，意法半導(dǎo)體和Rohm。
GaN和SiC時代即將到來
預(yù)計到2029年，化合物功率半導(dǎo)體市場將增長五倍以上。對于5G設(shè)備，電動汽車和工業(yè)設(shè)施（包括太陽能設(shè)施）中的SiC和GaN等化合物半導(dǎo)體的使用需求正在急劇增加。
從2021年開始，化合物功率半導(dǎo)體市場將迅速增長。
包括SiC（4H-SIC）和GaN在內(nèi)的下一代化合物功率半導(dǎo)體市場的增長現(xiàn)在已經(jīng)開始。市場研究公司Yole預(yù)測，到2024年，SiC功率半導(dǎo)體市場將以29％的復(fù)合年增長率增長，達到20億美元。相關(guān)的受益方應(yīng)該包括美國的Cree，意法半導(dǎo)體和Veeco，以及韓國的RFHIC。
晶圓生產(chǎn)技術(shù)對于GaN和SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)至關(guān)重要。
化合物半導(dǎo)體已開始用于5G設(shè)備，工業(yè)設(shè)施，電動汽車和太陽能等行業(yè)。近來，GaN晶體管已被大量用于智能電話和筆記本電腦的充電適配器。此外，現(xiàn)代汽車集團在其最近宣布的E-GMP中采用了SiC半導(dǎo)體。
在化合物半導(dǎo)體的生產(chǎn)中，晶圓生產(chǎn)技術(shù)很重要。通過使用有機金屬CVD（MOCVD）設(shè)備在襯底上生長GaN外延層來制造GaN半導(dǎo)體。SiC外延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生產(chǎn)。在韓國，收購了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門的SKSiltron正在對該行業(yè)進行投資。SiC晶圓現(xiàn)在供不應(yīng)求。
Cree計劃到2024年將SiC產(chǎn)能提高30倍，并為其GaN業(yè)務(wù)投資10億美元。ST Micro的SiC芯片組相關(guān)銷售額在2019年達到2億美元，目標(biāo)是到2025年達到10億美元。
