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京東方華燦GaN電力電子突破：消費(fèi)級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

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CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動電路設(shè)計挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

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晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

比利時氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計劃生產(chǎn)光芯片

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

超6300萬！三墾電氣全資收購GaN企業(yè)Powdec株式會社

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

中企競標(biāo)收購比利時氮化鎵廠商BelGaN

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

比利時氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設(shè)備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

安徽格恩半導(dǎo)體申請GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

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