在GaN功率器件場(chǎng)景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期，京東方華燦以消費(fèi)類(lèi)GaN功率器件通過(guò)1000H可靠性為起點(diǎn)，正式開(kāi)啟“消費(fèi)級(jí)普及、工業(yè)級(jí)深化、車(chē)規(guī)級(jí)突破”的三級(jí)躍遷戰(zhàn)略。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū)，我們以標(biāo)準(zhǔn)化能力為根基，以IDM全鏈創(chuàng)新為引擎，為全球客戶提供覆蓋全場(chǎng)景的“中國(guó)芯”解決方案。

技術(shù)突破：器件通過(guò)1000H可靠性認(rèn)證，JEDEC認(rèn)證服務(wù)消費(fèi)市場(chǎng)：奠定標(biāo)準(zhǔn)化基石 

近期，京東方華燦650V 產(chǎn)品平臺(tái)通過(guò)1000H可靠性認(rèn)證. 

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)全覆蓋：京東方華燦消費(fèi)類(lèi)GaN功率器件將全面進(jìn)行JEDEC認(rèn)證，以工業(yè)類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)覆蓋消費(fèi)類(lèi)需求，為快充、適配器等場(chǎng)景提供“即插即用”的標(biāo)準(zhǔn)化解決方案。 

全鏈條協(xié)同：京東方華燦作為氮化鎵IDM企業(yè)，在多個(gè)角度協(xié)同促進(jìn)競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升：

外延：京東方華燦基于自主研發(fā)的GaN外延結(jié)構(gòu)，器件的橫向BV從1400V提升至2000V+，有效提高器件可靠性裕量；并已經(jīng)開(kāi)啟1200V GaN的產(chǎn)品技術(shù)儲(chǔ)備 

工藝線：隨著流片通量提高，制造穩(wěn)定性，產(chǎn)品良率不斷提升，進(jìn)一步保障批量出貨能力 

器件：1000H可靠性通過(guò)驗(yàn)證，繼續(xù)進(jìn)行JEDEC認(rèn)證。此外已經(jīng)針對(duì)現(xiàn)有平臺(tái)開(kāi)啟產(chǎn)品組合完善布局；并已經(jīng)啟動(dòng)下下一代平臺(tái)的技術(shù)儲(chǔ)備，以進(jìn)一步縮小尺寸，提高單片產(chǎn)出，優(yōu)化良率，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。 

測(cè)試能力：為全面覆蓋市場(chǎng)上GaN功率器件的測(cè)試需求，京東方華燦建立了動(dòng)態(tài)測(cè)試和可靠性實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室能夠快速響應(yīng)各類(lèi)測(cè)試要求，提供高效的測(cè)試機(jī)理分析支持。 

品質(zhì)體系：通過(guò)加強(qiáng)研發(fā)質(zhì)量和過(guò)程質(zhì)量管控，我們已逐步形成從產(chǎn)品研發(fā)到量產(chǎn)交付的全過(guò)程質(zhì)量保障能力。同時(shí)，通過(guò)檢驗(yàn)流程、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和硬件平臺(tái)的建成與持續(xù)優(yōu)化，我們確保向客戶交付高質(zhì)量產(chǎn)品

京東方華燦致力于成為全球化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新引領(lǐng)者，在GaN功率器件從“技術(shù)競(jìng)賽”轉(zhuǎn)向“場(chǎng)景落地”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，京東方華燦以消費(fèi)級(jí)器件的1000H可靠性通過(guò)為支點(diǎn)，持續(xù)突破技術(shù)邊界與市場(chǎng)邊界。未來(lái)，我們將以“消費(fèi)-工業(yè)-車(chē)用”三級(jí)躍遷戰(zhàn)略為錨點(diǎn)，讓每一瓦電能更高效、更清潔、更可靠地服務(wù)人類(lèi)文明。

 （來(lái)源：京東方華燦光電）