法國氮化鋁（AlN）初創(chuàng)公司EasyGaN因未能籌集到更多資金而倒閉。

這家位于法國Sophia Antipolis的公司，正在利用分子束外延（MBE）技術在硅晶圓上開發(fā)AlN層，該技術比其他技術能夠更精確地控制材料結構。

這項由法國研究實驗室CRNS開發(fā)的技術，能夠制造出比傳統(tǒng)晶圓技術薄三倍的層，可供代工廠和芯片公司用于生產(chǎn)毫米波射頻芯片。此外，該公司還在考慮開發(fā)一種基于氮化鎵（GaN）的版本，同樣用于射頻芯片。

EasyGaN CEO、前英特爾平臺經(jīng)理Andre Bonnardot表示：“盡管我們盡了最大努力，但仍未能獲得繼續(xù)開展項目所需的資金。如果您對我們通過MBE開發(fā)的AlN和硅基GaN技術感興趣，請聯(lián)系CRHEA/CNRS實驗室的Fabrice Semond，他負責并支持了我們。”

EasyGaN網(wǎng)站現(xiàn)已關閉。

（來源：集微）