P-GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）在正向柵極人體模型（HBM）靜電放電（ESD）事件中的魯棒性對其實際應(yīng)用非常重要。提高魯棒性對于確保器件的長期穩(wěn)定運行和可靠性至關(guān)重要。
5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會議設(shè)有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時，工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師施宜軍將受邀出席會議，并分享《P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
博士畢業(yè)于電子科技大學(xué)，師從張波教授團隊的陳萬軍教授，現(xiàn)就職于工業(yè)和信息化部電子第五研究所，主要從事GaN功率器件及集成電路可靠性研究。自2013年以來，申請人開展了GaN功率器件的可靠性試驗技術(shù)、失效物理、加固技術(shù)等方面的研究。已發(fā)表相關(guān)SCI/EI論文80余篇，一作/通訊SCI論文29篇，授權(quán)發(fā)明專利6項，發(fā)布國內(nèi)首批第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性標準5項，主持編制國內(nèi)唯二的GaN功率器件可靠性相關(guān)國標2項。主持了國家自然科學(xué)基金面上項目和青年項目、十四五核心電子器件項目子專題2項、國家重點研發(fā)計劃子課題、廣東省重點研發(fā)計劃子任務(wù)、22年和24年廣東省自然科學(xué)基金面上項目、軍科委實驗室基金、科工局穩(wěn)定支持等國家省部級項目共計10余項。獲廣州市優(yōu)秀博士、增城區(qū)高端人才；中國檢驗檢測學(xué)會青年科技工作者委員會委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會工作組成員和青年委員會成員；廣州市科技大腦專家?guī)鞂＜摇壹皬V東省自然科學(xué)基金項目評審專家。
工業(yè)和信息化部電子第五研究所是國內(nèi)最早開展電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境適應(yīng)性研究和試驗的機構(gòu)，擁有電子元器件質(zhì)量認證鑒定實驗室、電子元器件廣州檢測中心、國家級重點實驗室、國家通用電子元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心和國家集成電路產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、電子元器件國家級DPA實驗室，其電子元器件可靠性試驗、環(huán)境試驗室是目前全國規(guī)模最大、項目最齊全、技術(shù)能力和技術(shù)水平最高，在電子元器件和電子系統(tǒng)的測試分析、質(zhì)量可靠性基礎(chǔ)研究、檢測方法、環(huán)境試驗、可靠性壽命與評價等方面具有較強的專業(yè)優(yōu)勢和技術(shù)能力。
目前最新報告嘉賓公布，會議詳情如下：
會議時間：5月22-24日
會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店
組織機構(gòu)
指導(dǎo)單位：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術(shù)
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)
2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)
碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)
功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等
7.功率器件交叉領(lǐng)域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計、封裝與測試
會議日程總覽
最新報告嘉賓
備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！
張進成--西安電子科技大學(xué)副校長、教授
孫偉鋒--東南大學(xué)集成電路學(xué)院院長
唐為華--南京郵電大學(xué)教授、鎵和半導(dǎo)體董事長
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)
喬明--電子科技大學(xué)教授
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)
TBD--英諾賽科科技有限公司
TBD--揚杰科技
王慶宇--新微半導(dǎo)體總經(jīng)理
氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命
陳敦軍--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件
葉建東--南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件
魏進--北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
張宇昊 鞏賀賀--香港大學(xué)教授、博士后研究員
宋慶文--西安電子科技大學(xué)教授
面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新
王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成
黃森--中國科學(xué)院微電子研究所研究員
新能源時代半導(dǎo)體封測技術(shù)與趨勢
邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負責人
功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望
朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理
面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)
李道會--北京昕感科技(集團)副總，功率模塊事業(yè)部負責人
氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究
周 峰--南京大學(xué)副研究員
氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究
宣融--南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理
寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)
程新紅--中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)研究所研究員
鄧小川--電子科技大學(xué)教授
劉盼--復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任
施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師
P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法
彭燕--山東大學(xué)教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
張潔--西交利物浦大學(xué)芯片學(xué)院助理教授、本科專業(yè)負責人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
劉超--山東大學(xué)集成電路學(xué)院/晶體材料全國重點實驗室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大學(xué)能源與電氣工程學(xué)院講師
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質(zhì)p-n結(jié)二極管
章建國--中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所博士
......更多報告嘉賓持續(xù)確認更新中
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預(yù)報名
備注：此碼為預(yù)報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯(lián)系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報（英文）》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號
郵箱：503766958@qq.com
酒店聯(lián)系人
陸經(jīng)理 15050562332 025-58628888
