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蘋果30年投資并購布局
研究
:在智能汽車上還能發(fā)明新賽道嗎?
評論 ?
2021-07-02 09:44
研究
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年智能手機(jī)OLED屏幕出貨量將大幅增長
評論 ?
2021-06-30 10:10
云大半導(dǎo)體材料硫化鉑光電特性
研究
獲新突破,助力大面積電子器件發(fā)展
評論 ?
2021-06-23 11:14
押注美國半導(dǎo)體制造業(yè)增長!日立在美建造大型半導(dǎo)體
研究
工廠
評論 ?
2021-06-17 17:00
工信部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化
研究
所陳大為
研究
員:國產(chǎn)車規(guī)芯片準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)與途徑
工信部
電子
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化
研究員
陳大為
國產(chǎn)
車規(guī)芯片
準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)
途徑
評論 ?
2021-06-10 20:12
紹興濱海新區(qū)與西電共建寬禁帶半導(dǎo)體國家工程
研究
中心紹興分中心
評論 ?
2021-06-09 16:08
徐直軍:華為在2017年就已開啟6G
研究
評論 ?
2021-06-04 15:59
甘肅省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展
研究
院和微電子產(chǎn)業(yè)學(xué)院成立
評論 ?
2021-05-24 13:08
研究
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)三星電子Q2將再次取代英特爾 成全球第一大半導(dǎo)體廠商
評論 ?
2021-05-07 09:42
南京集芯光電雷建明:氮化鎵功率開關(guān)器件及其在超輕薄開關(guān)電源領(lǐng)域的應(yīng)用
研究
評論 ?
2021-04-28 14:07
中電南方國基集團(tuán)李士顏:功率碳化硅MOSFET芯片及模塊
研究
進(jìn)展及應(yīng)用
中電南方國基集團(tuán)
李士顏
功率
碳化硅
MOSFET
芯片
模塊
評論 ?
2021-04-27 17:01
浙江大學(xué)與沐曦集成電路共建
研究
中心,目標(biāo)高性能GPU芯片國產(chǎn)替代
評論 ?
2021-04-27 10:52
湖南大學(xué)半導(dǎo)體先進(jìn)制造
研究
院落地?zé)o錫
評論 ?
2021-04-14 11:44
華為戰(zhàn)略
研究
院院長徐文偉:邁向智能世界2030的九大技術(shù)挑戰(zhàn)與
研究
方向
華為
徐文偉
智能世界
2030
九大技術(shù)挑戰(zhàn)
研究方向
評論 ?
2021-04-13 09:24
2020年半導(dǎo)體行業(yè)砷化鎵、碳化硅專題
研究
評論 ?
2021-04-09 10:51
補(bǔ)研發(fā)短板 強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈條 煙臺新型半導(dǎo)體技術(shù)
研究
院明年投用
評論 ?
2021-03-29 11:50
大力開展集成電路等標(biāo)準(zhǔn)的
研究
制定 工信部發(fā)布工業(yè)和信息化標(biāo)準(zhǔn)工作要點(diǎn)
集成電路
標(biāo)準(zhǔn)
工信部
要點(diǎn)
評論 ?
2021-03-17 16:16
研究
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球智能手機(jī)出貨量同比增長5.5% 5G占40%
評論 ?
2021-03-12 17:16
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件
研究
進(jìn)展
評論 ?
2021-03-08 16:56
半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)名“上書”要補(bǔ)貼 呼吁拜登為半導(dǎo)體制造
研究
提供資金
半導(dǎo)體
行業(yè)
補(bǔ)貼
拜登
半導(dǎo)體制造
資金
評論 ?
2021-02-19 08:21
我國在氮化鎵界面態(tài)
研究
方面取得重大突破
評論 ?
2021-01-21 16:59
微電子所在氮化鎵界面態(tài)
研究
方面取得進(jìn)展
微電子所
氮化鎵
界面態(tài)
評論 ?
2021-01-18 08:31
功率半導(dǎo)體行業(yè)
研究
:景氣向上,國產(chǎn)化替代正當(dāng)時
評論 ?
2021-01-11 09:56
中電科55所李士顏博士:碳化硅功率MOSFET
研究
進(jìn)展
評論 ?
2020-12-17 17:54
深圳第三代半導(dǎo)體
研究
院楊安麗:抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)
評論 ?
2020-12-17 17:49
華北電力大學(xué)李學(xué)寶:高壓SiC器件中的封裝絕緣問題
研究
評論 ?
2020-12-17 17:44
浙江大學(xué)任娜:SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的
研究
評論 ?
2020-12-17 17:27
中山大學(xué)黎城朗:凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響
研究
評論 ?
2020-12-16 18:30
中國空間技術(shù)
研究
院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖:寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)
評論 ?
2020-12-16 18:20
中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生
研究
所周宇:硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件
評論 ?
2020-12-16 18:13
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