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我國牽頭制定的首個納米金剛石國際標準正式發(fā)布

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

標準 | 長春光機所牽頭起草的3項面向光治療的柔性LED光源測試標準形成委員會草案

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

填補新技術領域標準空白 12項新能源汽車團體標準解讀

兩項碳化硅標準，立項！

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關動態(tài)特性測試方法》立項

CSA半導體激光器專委會啟動半導體激光器團體標準制定與GaN激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍皮書編制工作

標準 |《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標準 | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布

順義第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）預計7月底完工

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

意見征集 | 中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標準形成征求意見稿

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強制性國家標準研制

標準 |中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標準形成征求意見稿

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布

標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標準解讀

電科芯片牽頭制定的集成電路領域國家標準正式實施

2025JFSC平行論壇11丨第三代半導體產(chǎn)品評測與標準研制，精彩議題搶先看

工業(yè)和信息化部：今年將制定行業(yè)標準1800項以上

工信部：推進5G-A、6G、量子保密通信等標準研究

標準 | AlN位錯密度/吸收系數(shù)2項測試方法形成委員會草案

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