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實現(xiàn)1>1+1的創(chuàng)新！Wolfspeed 碳化硅基氮化鎵功率晶體管，賦能蜂窩通信創(chuàng)新

年產(chǎn)3000片氮化鎵射頻功率芯片先導線項目設(shè)計采購施工總承包公告

博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工

博康(嘉興)半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工總投資6億元

總投資約6億元，博康嘉興氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工

英諾賽科孟無忌：氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實踐

Yole Group：中國廠商正引領(lǐng)氮化鎵在消費電子應(yīng)用！

美國弗吉尼亞理工大學張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進展

重磅收購！英飛凌57億元收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

氮化鎵功率器件領(lǐng)域的新選擇

IFWS：氮化鎵功率電子器件技術(shù)研究進展

現(xiàn)場火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)論壇召開

山東大學4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標公告

英諾賽科氮化鎵創(chuàng)新方案領(lǐng)跑2023！

英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動氮化鎵功率芯片ISG3201

IFWS 前瞻：氮化鎵功率電子器件分會日程出爐

山東大學4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

簡述氮化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會日程出爐

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

港府：發(fā)展半導體芯片并非走他人老路，第三代氮化鎵芯片是全球新趨勢

快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

第三代半導體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導體完成數(shù)億元C輪融資

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù)，擴大氮化鎵應(yīng)用實驗室

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

蘇州半導體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”揭牌成立

世界先進宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進入量產(chǎn)

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團體標準已形成委員會草案

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