據(jù)悉，日前，博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工儀式在浙江嘉興經開區(qū)舉行。

 

圖源：國家級嘉興經濟技術開發(fā)區(qū)

 

嘉興經濟技術開發(fā)區(qū)官方消息顯示，該項目總投資額約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米。該項目瞄準第三代半導體新材料領域，集產品研發(fā)、生產、銷售等功能為一體。

 

此次落戶的博康半導體產品將覆蓋電信基礎設施、射頻能源及各類通用市場的應用，為5G移動通訊基站、寬頻帶通信等射頻領域提供半導體產品及解決方案。