一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS ）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，氮化物襯底材料生長與外延技術分會作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認最新報告嘉賓及日程正式出爐！》》》點擊關于：第八屆國際第三代半導體論壇&第十九屆中國國際半導體照明論壇

以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的氮化鎵材料而言，尋找到更加合適的襯底是發(fā)展氮化鎵技術的重要目標。氮化物襯底材料的生長與外延非常重要。

作為IFWS&SSLCHINA2022重要技術分會，“氮化物襯底材料生長與外延技術分會”得到英諾賽科、中微半導體設備（上海）股份有限公司、安徽亞格盛電子新材料有限公司、江蘇南大光電材料股份有限公司等單位的協(xié)辦支持，由北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任沈波教授，江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所黎大兵研究員，江蘇第三代半導體研究院副院長畢文剛研究員，江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官楊敏博士等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。

目前分會邀請到：美國斯坦福大學電氣工程副教授Srabanti CHOWDHURY，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理王建峰，中國科學院半導體所研究員趙德剛，南京大學教授修向前，安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理俞冬雷，日本國立物質材料研究所獨立研究員桑立雯，奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮博士，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家楊敏，北京大學物理學院副教授許福軍，武漢大學工業(yè)科學研究院研究員袁超，北京正通遠恒科技有限公司總經(jīng)理劉兵武，江蘇第三代半導體研究院研發(fā)部負責人王國斌等科研機構與知名企業(yè)專家代表共同參與，就氮化物襯底材料生長與外延技術分享主題報告。目前該分會日程已經(jīng)出爐，詳情如下：

技術分論壇：氮化物襯底材料生長與外延技術 Technical Sub-Forum: Nitride Substrate Material Growth and Epitaxy Technologies
時間：2023年2月8日08:30-12:00 地點：地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • 會議室K5-6 Time: Feb 8th，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6
協(xié)辦支持/Co-organizer: 英諾賽科/Innoscience 中微半導體設備（上海）股份有限公司/Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China 安徽亞格盛電子新材料有限公司/Anhui Argosun New Electronic Materials Co., Ltd 江蘇南大光電材料股份有限公司/Nata Opto-Electronic Material Co.,ltd
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	沈  波 / SHEN Bo 北京大學理學部副主任、教授 Deputy Director and Professor of School of Physics, Peking University 徐  科 / XU Ke 江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員 Vice President & Professor of Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS; President of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors Ltd.
08:30-08:50	Adding efficiency to electronics with III-Nitride technology Srabanti CHOWDHURY——美國斯坦福大學電氣工程副教授 Srabanti CHOWDHURY——Associate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA
08:50-09:10	應用于垂直器件的高電導率GaN單晶襯底制 HVPE Growth of Bulk GaN with High Conductivity for Vertical Devices 王建峰——蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理 WANG Jianfeng——General Manager of Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd
09:10-09:30	平片藍寶石襯底上高質量AlN材料MOCVD外延生長 High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD 趙德剛——中國科學院半導體所研究員 ZHAO Degang——Profesor of Institute of Semiconductors, CAS
09:30-09:50	基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN襯底技術 The preparation of GaN based on the nitridation of  HVPE-Ga2O3 films 修向前——南京大學教授 XIU Xiangqian——-Professor of Nanjing university
09:50-10:05	半導體行業(yè)對高純電子化學品質量管理的高要求 High requirements for the quality management of high-purity electronic chemicals in Semiconductor 俞冬雷-——安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理 YU Donglei---Vice General Manager of Anhui Argosun New Electronic Materials Co., Ltd
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性 Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer 桑立雯——日本國立物質材料研究所獨立研究員 SANG Liwen——Independent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
10:40-11:00	PVT法同質外延AlN生長和p型摻雜面臨的挑戰(zhàn) Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method 吳亮——奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執(zhí)行官 WU Liang——CEO of Ultratrend Technologies Inc.
11:00-11:20	新型MO源及在第三代半導體中的應用 Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors 楊敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家 YANG Min——Chief Scientist of Nata Opto-Electronic Material Co.,ltd
11:20-11:40	AlGaN基低維量子結構外延和電導率調控研究 Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures 許福軍——北京大學物理學院副教授 Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
11:40-11:55	無損表征氮化鎵外延熱物性的瞬態(tài)熱反射技術 Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer 袁超-——武漢大學工業(yè)科學研究院研究員 YUAN Chao——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
11:55-12:10	定量陰極發(fā)光CL技術在氮化物半導體中的應用 Application of Quantitative Cathodoluminescence Technology in Nitride Semiconductors 劉兵武——北京正通遠恒科技有限公司總經(jīng)理 Stephen LiU ——General Manager of Beijing HonOPROF Sci. & Tech. Ltd
12:10-12:25	High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication 高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長 王國斌——江蘇第三代半導體研究院研發(fā)部負責人 WANG Guobin——Senior Project Manager & Head of R&D Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

【部分嘉賓簡介】

沈波，北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、物理學院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“半導體照明”重點專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項總體專家組成員，享受國務院特殊津貼。先后在南京大學、中國科技大學和日本東北大學獲得學士、碩士和博士學位。曾任日本東京大學產(chǎn)業(yè)技術研究所研究員，東京大學先端科技研究中心、千葉大學電子學與光子學研究中心客座教授、日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所訪問教授。

1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結構的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導體二維電子氣輸運性質、 寬禁帶半導體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計劃、863計劃和自然科學基金重點項目等20多項國家級科研課題，先后與華為、京東方、彩虹集團、廣東光大集團和中國電科13所、55所等企業(yè)開展了一系列科研合作。迄今發(fā)表學術論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發(fā)明專利50多件，在國內(nèi)外學術會議做大會和分會邀請報告20多次， 多次擔任國際學術會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，先后獲國家技術發(fā)明二等獎、國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。部分研究成果實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用，并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟和社會效益。

徐科，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導體研究院院長。國家杰出青年基金獲得者。1988～1995年就讀于西安交通大學，獲碩士學位，1998年于中科院上海光學精密機械研究所獲博士學位。1999～2002年在日本千葉大學光電子研究中心做博士后，2002～2004年在日本科學技術振興事業(yè)團，參加超高速省電力高性能納米器件/系統(tǒng)研發(fā)項目，2004～2006年任教于北京大學，2006年起加入中科院蘇州納米所，任測試分析平臺主任。曾榮獲2007年“蘇州工業(yè)園區(qū)首屆科技領軍人才”稱號、2008年“首屆姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才”、“江蘇省雙創(chuàng)人才”稱號、2010年榮獲第十三屆中國科協(xié)“求是杰出青年獎”、2011年蘇州市市長獎，2012年榮獲全國產(chǎn)學研合作創(chuàng)新成果獎、中國科學院國際合作青年科學家獎，2013年獲得國家杰出青年基金資助，2013年蘇州市魅力科技人物。現(xiàn)任“863”計劃新材料領域主題專家、國家納米標準委員會委員。

一直圍繞高質量氮化物半導體材料生長、相關材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng)，開發(fā)出高質量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實現(xiàn)批量生產(chǎn)；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術與裝備研制、微納尺度原位加工與測試技術的融合，并用于半導體中單個缺陷和低維結構的新奇物性研究。發(fā)表SCI論文70余篇，申請專利40余項，國際專利一項，國際會議特邀報告20余次。承擔了國家自然科學基金、973重大研究計劃、863項目、科技部國際合作項目、中科院裝備研制項目、江蘇省重大科技成果轉化專項、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項目等。

Srabanti CHOWDHURY，美國斯坦福大學電氣工程副教授。Srabanti Chowdhury是電氣工程（EE）副教授和斯坦福大學預科學院高級研究員。她領導斯坦福大學寬帶隙實驗室，在那里她的研究重點是寬帶隙（WBG）和超寬帶隙（UWBG）材料和器件工程，以實現(xiàn)高效緊湊的電子系統(tǒng)架構，包括功率RF和計算應用。除了氮化鎵之外，她的團隊還在探索鉆石的各種主動和被動電子應用，特別是熱管理。Srabanti獲得了加州大學圣巴巴拉分校電氣工程碩士和博士學位，從事垂直GaN開關的研究。2015年，她獲得了DARPA青年教師獎、NSF CAREER和AFOSR青年研究員計劃（YIP）。2016年，她在化合物半導體國際研討會（ISCS）上獲得了青年科學家獎。她是IEEE的高級成員，也是NAE工程前沿的校友。她于2020年獲得了阿爾弗雷德·P·斯隆（Alfred P.Sloan）物理學獎學金。迄今為止，她的工作已經(jīng)產(chǎn)生了超過6個書籍章節(jié)、90篇期刊論文、110篇會議報告和26項已頒發(fā)專利。她為多個IEEE會議（包括IRPS和VLSI研討會）的計劃委員會以及IEDM的執(zhí)行委員會服務。她擔任Transaction Electron Devices的副主編，以及IEEE Electron Device Society下屬的兩個委員會（復合半導體器件與電路委員會成員和功率器件與集成電路委員會）。她是美國能源部資助的能源前沿研究中心（簡稱ULTRA）的科學合作主任。

修向前，南京大學教授。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導體襯底材料與設備以及III族氮化物納米結構材料與器件等的研究和應用。2017年，主持的國家重點研發(fā)計劃“第三代半導體核心關鍵裝備”獲得立項。近5年，主持/參與863計劃、973、國家自然科學基金、國家自然科學基金重大項目、江蘇省自然科學基金等項目共10余項。共發(fā)表SCI/EI等學術論文80余篇，其中SCI論文60余篇。已獲得授權國家發(fā)明專利31項（第一發(fā)明人20余項），申請國家發(fā)明專利30余項。編寫論著9章。相關研究成果“III族氮化物半導體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學?？茖W研究優(yōu)秀成果獎（科學技術）”自然科學獎一等獎，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的襯底材料生長、性質和器件研究；氫化物氣相外延設備研制與應用；微納米氮化物半導體材料與器件研究。

趙德剛，中國科學院半導體所研究員、博士生導師、光電子研究發(fā)展中心主任。主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究，對材料生長機理、材料物理、器件設計及器件物理有較深入的理解和認識，解決了GaN材料大失配異質外延技術等關鍵難題，研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍光激光器和紫外雪崩光電探測器，還在碳雜質研究做出了系統(tǒng)性、創(chuàng)新性工作。主持和承擔了國家重點研發(fā)計劃、863、國家自然科學基金等多個項目，在Applied Physics Letters等著名學術刊物上發(fā)表SCI論文270多篇，獲得國家發(fā)明專利30多項，撰寫中文、英文專著各一章。在GaN器件方面，設計出能夠監(jiān)測紫外波長的新型器件，提出了利用紫外探測器的響應光譜對p-GaN載流子濃度進行測量的新方法；研究了p-GaN的歐姆接觸工藝技術，實現(xiàn)了良好的歐姆接觸特性，揭示了歐姆接觸、空位缺陷和碳雜質對探測器的影響機理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的電熒光光譜隨注入電流變化的機制，并提出了相應的物理模型；提出了降低吸收損耗、抑制電子泄漏的多種激光器新結構，闡述了V型缺陷和碳雜質破壞發(fā)光器件性能的物理機制；研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍光激光器以及紫外雪崩光電探測器。

許福軍，北京大學物理學院副教授。主要研究領域為寬禁帶半導體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結構外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導率調控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達到國際先進水平，并在團隊支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關鍵技術，正推動科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實踐。近年來，作為負責人承擔國家自然科學面上基金3項；作為子課題負責人參與國家重點研發(fā)計劃項目1項、北京市科委重點項目1項，山東省重點研發(fā)計劃項目1項和廣東省重點研發(fā)計劃項目1項。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發(fā)明專利10多件。

楊敏，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家。他本科和碩士畢業(yè)于江蘇南京大學，博士畢業(yè)于英國哈德斯菲爾德大學，博士畢業(yè)后先后在牛津大學和劍橋大學化學系任博士后研究員?；貒霸吐氂谟鳸CL大學，任終身副教授、博導。2018年加入江蘇南大光電材料股份有限公司。

俞冬雷，安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理兼研發(fā)中心經(jīng)理。他2000年畢業(yè)于南京大學，晶體生長專業(yè)方向。長期從事化合物半導體行業(yè)相關技術研發(fā)和生產(chǎn)工作，主要研究方向包括：MOCVD外延生長技術，外延片測試技術，MO源相關產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和質量管控，電子特氣的生產(chǎn)和質量管控，產(chǎn)品分析實驗室建設，分析檢測技術開發(fā)等；長期從事相關產(chǎn)品（MO源和特氣）的市場分析、開拓和技術服務工作。主要負責項目包括：年產(chǎn)30噸高純金屬有機源（MO源）建設項目、MO源分析實驗室、特氣分析實驗室、高精度元素分析檢測技術開發(fā)項目、各種系列規(guī)格產(chǎn)品開發(fā)（包括：紫外級TMAl、大規(guī)格TMIn、紅黃TMIn、高效CP2Mg、低硅TEGa等）、集中供源系統(tǒng)、氨水回收綜合利用項目、特氣中As、P、B元素超高精度分析檢測技術、高效率水分分析技術等。

吳亮，奧趨光電技術（杭州）有限公司首席執(zhí)行官。國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學家，有近20年半導體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領導經(jīng)驗。曾供職于英特爾技術發(fā)展有限公司、比利時FEMAGSoft SA（高級研發(fā)工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應用研究院有限公司（副院長，現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院）、協(xié)鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現(xiàn)任奧趨光電技術（杭州）有限公司CEO。吳亮博士曾承擔日本、德國、比利時等多家世界500強企業(yè)或政府組織在半導體材料領域的專業(yè)化合作研究，申請/授權國內(nèi)國際專利50余項，在德國出版晶體生長專著一部，發(fā)表各種期刊/會議論文及各種國際/國內(nèi)邀請報告100多篇/次）。

王建峰，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理。他于2001年、2006年先后獲得武漢大學學士和博士學位（與中科院半導體所聯(lián)合培養(yǎng)），此后一直從事GaN單晶襯底的制備及產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。近5年以來，深入研究了GaN的HVPE生長機理和缺陷演化機制，采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法，獲得了無裂紋、高質量GaN材料，性能達到目前同類方法公開報道的最好值(位錯密度<105cm2，室溫電子遷移率1100cm?/V·s)；利用摻雜技術，實現(xiàn)了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補償摻雜GaN單晶襯底的研制。作為項目負責人和核心人員參加科技部863項目、國際合作項目、自然科學基金項目、中科院 STS 項目等10余項，申報相關核心專利20余項，在ICNS、APWS等重要國際會議上做特邀報告5次。曾榮獲中國產(chǎn)學研促進性創(chuàng)新成果獎，中國科學院盧嘉錫青年人才獎，蘇州市勞動模范獎勵。

桑立雯，日本國立物質材料研究所獨立研究員。2010年畢業(yè)于北京大學，獲理學博士學位。2010年4月加入日本國立物質材料研究所(National Institute for Materials Science)進行博士后研究，2014年拿到該所終身職位，目前是該所國際納米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 獨立研究者。2012年和2019年兩次獲得日本科學振興機構(JST)杰出青年先驅計劃PRESTO，2017年獲得國際缺陷領域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國家文部科學省科學技術領域文部科學大臣若手科學者獎, 該獎項是日本青年研究人員最高獎。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調控及光電機械器件研究，已發(fā)表SCI論文110余篇，總引用次數(shù)2800余次(h指數(shù)26)，參與撰寫英文專著2部。

劉兵武，北京正通遠恒科技有限公司總經(jīng)理。1991年碩士畢業(yè)后在大學從事科研工作。1996年開始轉入科學儀器行業(yè)，至今一直扎根于儀器設備行業(yè)大約26年。先后從事儀器設備的應用支持、市場營銷以及客戶服務、管理等工作。先后把國外的先進儀器及技術引進到國內(nèi)，包括工業(yè)在線傳感器、ALD等。從2015年開始，開始在儀器設備領域做天使投資，主要是傳感器、食品安全、半導體儀器等。

袁超，武漢大學工業(yè)科學研究院研究員，長期從事寬禁帶器件表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法(thermoreflectance)、聲子熱輸運理論、以及(超)寬禁帶半導體器件設計等領域具有一定的技術優(yōu)勢和科研特色。承擔多個國家/省部級重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項目，迄今共發(fā)表國際SCI論文30余篇。長期和國內(nèi)外知名半導體企業(yè)和研究機構合作，擁有豐富的產(chǎn)學研經(jīng)驗。

（備注：后續(xù)會有新增，請以最終日程為準。）

 附件：

論壇信息

會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

程序委員會

主席：

張   榮——廈門大學黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明——中科院院士、復旦大學芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院院長、中科院微電子研究所研究員

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授

李晉閩——中國科學院特聘研究員

張國義——北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授

沈   波——北京大學理學部副主任、教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

徐   科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

盛   況——浙江大學電氣工程學院院長、教授

張   波——電子科技大學教授

陳   敬——香港科技大學教授

徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

吳偉東——加拿大多倫多大學教授

張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授

主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：

F1-碳化硅功率電子材料與器件

主題分論壇主席：

盛   況——浙江大學電氣工程學院院長、教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

a.碳化硅功率電子材料與器件

召集人：

盛   況——浙江大學電氣工程學院院長、教授

柏   松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員

張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任

邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授

王德君——大連理工大學教授

袁   俊——九峰山實驗室功率器件負責人

b.芯片制造工藝及裝備

召集人：

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官

杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁

吳   軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家

F2-氮化物半導體電子材料與器件

主題分論壇主席：

張   波——電子科技大學教授

吳偉東——加拿大多倫多大學教授

陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家

馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

a.氮化鎵功率電子材料與器件

召集人：

張  波——電子科技大學教授

吳偉東——加拿大多倫多大學教授

劉  揚——中山大學教授

孫  錢——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員

張進成——西安電子科技大學副校長、教授

吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁

梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理

王茂俊——北京大學信息科學技術學院副教授

b.射頻電子材料與器件

召集人：

陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家

蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長

張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長

張  韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員

敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授

于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授

馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工

F3-功率電子應用

主題分論壇主席：

劉    勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授

a.功率模塊封裝及可靠性

召集人：

劉   勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學電氣工程學院常務副院長、教授

李世瑋——香港科技大學教授

陸國權——美國弗吉尼亞大學教授

羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授

楊道國——桂林電子科技大學教授

王來利——西安交通大學教授

樊嘉杰——復旦大學青年研究員

姜  克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理

F4-襯底材料與裝備

主題分論壇主席：

沈    波——北京大學理學部副主任、教授

徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

陶緒堂——山東大學講席教授

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

a.碳化硅襯底材料生長與加工

召集人

徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員

孫國勝——中科院半導體研究所研究員

馮  淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理

b.氮化物襯底材料生長與同質外延

召集人：

沈  波——北京大學理學部副主任、教授

徐  科——江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員

畢文剛——江蘇第三代半導體研究院副院長

楊  敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術官

c.超寬禁帶半導體材料與器件

召集人:

陶緒堂——山東大學講席教授

龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授

張進成——西安電子科技大學副校長、教授

單崇新——鄭州大學副校長、教授

王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長

王宏興——西安交通大學教授

葉建東——南京大學教授

劉玉懷——鄭州大學教授

韓根全——西安電子科技大學教授

d.生長、加工裝備與量測設備

召集人：

唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術官

杜志游——中微半導體設備(上海)有限公司高級副總裁

吳  軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家

F5-半導體照明與光電融合技術

主題分論壇主席：

江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授

曾一平——中科院半導體所研究員

a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性

召集人：

江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

云  峰——西安交通大學教授

羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授

伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員

郭偉玲——北京工業(yè)大學教授

汪  萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長

汪煉成——中南大學教授

張建立——南昌大學研究員

b.半導體激光器

召集人：

曾一平——中科院半導體所研究員

張保平——廈門大學電子科學與技術學院副院長、教授

莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家

劉建平——中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員

惠   峰——云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員

F6-超越照明創(chuàng)新應用

主題分論壇主席：

羅  明——浙江大學光電系教授

瞿  佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授

顧  瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

遲  楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授

楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

劉  鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授

a.光品質與光健康

召集人

羅  明——浙江大學光電系教授

瞿   佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授

郝洛西——同濟大學建筑與城市規(guī)劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席

林燕丹——復旦大學教授

熊大曦——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所研究員

牟同升——浙江大學教授

魏敏晨——香港理工大學副教授

蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員

劉  強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授

b.光醫(yī)療

召集人：

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

張鳳民——黑龍江省醫(yī)學科學院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任

王彥青——復旦大學基礎醫(yī)學院教授

崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員

蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學教授

董建飛——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術研究所研究員

陳德福——北京理工大學醫(yī)工融合研究院特聘副研究員

楊   華——中國科學院半導體研究所副研究員

c.光通信與傳感

召集人：

遲   楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授

馬驍宇——中科院半導體研究所研究員

陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員

田朋飛——復旦大學副研究員

李國強——華南理工大學教授

林維明——福州大學教授

房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員

d.生物與農(nóng)業(yè)光照

召集人：

楊其長——國際歐亞科學院院士、中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

唐國慶——中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理

劉   鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授

泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長

賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學教授

陳   凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁

華桂潮——四維生態(tài)董事長

徐  虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理

劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學教授

李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長

F7-新型顯示材料及應用

主題分論壇主席：

嚴  群——福州大學教授

孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授

畢   勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任

a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備

召集人：

嚴   群——福州大學教授

王新強——北京大學東莞光電研究院院長、北京大學教授

閆春輝——中民研究院常務副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長

劉   斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授

黃   凱——廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授

馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

邱   云——京東方科技集團股份有限公司技術企劃部副總監(jiān)

劉召軍——南方科技大學研究員

b.激光顯示三基色材料與器件

畢   勇——中國科學院理化技術研究所研究員、激光應用中心主任

趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員

c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等

召集人：

孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授

廖良生——蘇州大學教授

徐   征——北京交通大學教授

段   煉——清華大學教授

鐘海政——北京理工大學教授

F8-固態(tài)紫外材料與器件

主題分論壇主席：

康俊勇——廈門大學教授

王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任

a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件

b.紫外探測材料與器件

召集人：

康俊勇——廈門大學教授

王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任

黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員

陸   海——南京大學教授

陳長清——華中科技大學教授

郭浩中——臺灣交通大學特聘教授

李曉航——沙特國王科技大學副教授

 

許福軍——北京大學物理學院副教授

日程安排

注冊權益收費表

備注：

＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農(nóng)業(yè)光照技術，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術與產(chǎn)業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊平臺

IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊通道

*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。

*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進/出蘇州不再查驗核酸、健康碼，組委會提醒參會代表臨行前能做好自我健康檢測，體溫等無異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場參會。

即日起至2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。