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青禾晶元領(lǐng)跑國際，成功研制8寸高性能濾波器用壓電材料POI襯底

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)“交地即交證” 總投資45億元

西安8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目爭2024年建成投產(chǎn)

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)巫江：基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

晶合集成申請半導(dǎo)體器件專利，提升半導(dǎo)體器件的性能

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

比亞迪半導(dǎo)體申請逆導(dǎo)型IGBT功率器件專利，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級大功率UVC-LED器件實(shí)驗(yàn)室效率破9.5%

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所榮獲北京市自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

量子工程材料如何賦能半導(dǎo)體性能提升？

IFWS 2023│大連理工大學(xué)王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS 2023│ 中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

華為全面完成5G-A關(guān)鍵技術(shù)性能測試 5.5G商用時(shí)代望加速開啟

芯聚威科技完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，專注高性能信號鏈集成電路產(chǎn)品

拜登政府計(jì)劃阻止英偉達(dá)等出口高性能AI芯片英偉達(dá)回應(yīng)

CASICON 2023深圳前瞻 |托托科技吳陽：第三代半導(dǎo)體裝備從器件制造到性能表征

安森美與英偉達(dá)合作，將Hyperlux傳感器引入NVIDIA DRIVE平臺(tái)，提升自動(dòng)駕駛汽車的機(jī)器視覺性能

上汽高端純電SUV智己LS6發(fā)布首款搭載準(zhǔn)900V雙碳化硅高性能平臺(tái)

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

西北工業(yè)大學(xué)副教授王維佳：可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

天津工業(yè)大學(xué)副教授李龍女：基于國產(chǎn)芯片的平面型封裝1700V碳化硅模塊開發(fā)與性能表征

CASICON西安前瞻|?西北工業(yè)大學(xué)王維佳：可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

美仁芯片推出用于電機(jī)控制的智能功率模塊，性能達(dá)國際一流水平

通過鑒定，中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET國際先進(jìn)

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