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艾邁斯歐司朗進一步優(yōu)化紅外激光產品，樹立3D傳感性能標桿

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，提高半導體結構的電學性能

投資5億元，世拓新材料高性能光學和集成電路高分子材料項目簽約落戶張家港

華北電力大學壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測試試驗平臺采購項目公開招標公告

總投資2億元！江蘇長光時空高性能激光芯片項目投產

Wolfspeed第4代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

博睿光電梁超：功率器件封裝用高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化技術 | IFWS&SSLCHINA2024

廣東巨風半導體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

聯(lián)合微電子中心取得一種半導體器件專利，提升半導體器件性能

飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

廣東氣派科技申請 MOSFET 的封裝結構專利，采用封裝結構得到的 MOSFET 散熱性能佳

總投資310億元，星柯先進光電顯示產業(yè)項目高性能載板一號廠房主體封頂

左藍微電子高性能5G射頻濾波器項目啟動

上海壁仞科技取得封裝結構專利，提高散熱性能

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質外延Micro-LED”取得新突破

江蘇能華微取得 GaN 肖特基二極管相關專利，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅動器

光谷實驗室研發(fā)出高性能量子點光刻膠

左藍微電子完成億元B+輪融資，持續(xù)打造射頻濾波器性能新高度

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

美國投資14億美元研發(fā)高性能Chiplet

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

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