SiC MOSFET器件存在可靠性問題，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。SiC MOSFET器件可靠性制造存在諸多 難題，其中柵氧及其界面缺陷成為業(yè)界關注的焦點。

第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術分會“上，大連理工大學教授王德君帶來了”碳化功率器件及其封裝技術“的主題報告，分享了”SiC MOSFET器件可靠性問題及其根源“、”SiC 半導體表面缺陷的遺傳效應“、 ”SiC 半導體表面處理效果“、 ”表面處理優(yōu)化SiC MOS器件可靠性“等內容。

其研究基于表界面缺陷研究， 提升SiC MOS器件性能穩(wěn)定性可靠性。推進了測試分析診斷、柵氧/金屬工藝優(yōu)化、制造技術及裝備、測試技術及儀器等工作。 SiC MOSFET 器件可靠性和應用失效的根源：器件的偏壓溫度應力不穩(wěn)定性（BTI）問題。BTI本質上與SiC半導體柵氧界面/近界面缺陷直接相關。

對于SiC MOSFET器件可靠性問題及其根源，涉及SiC MOS器件電學特性及柵氧缺陷分析，SiC MOS器件柵氧化技術解決方案，SiC 半導體器件可靠性制造技術及裝備，半導體器件測試技術及儀器。開發(fā)了SiC MOS器件柵氧化新技術，實現(xiàn)了在大場強高溫長時間應力作用下的器件穩(wěn)定性。明晰了N、H、O、Cl等多種元素在SiC半導體氧化和界面缺陷鈍化中的作用及缺陷物理機制。為產(chǎn)業(yè)優(yōu)化柵氧工藝制程提供了理論和技術基礎。

SiC 半導體表面缺陷的遺傳效應研究方面，涉及表面缺陷構型、表面初始氧化構型（氧覆蓋度為1 ML），SiO2/SiC界面構型（含Ci的表面），SiO2/SiC界面構型（含CSi的表面），SiO2/SiC界面構型（含Vc的表面）。

表面處理優(yōu)化SiC MOS器件可靠性方面，涉及歐姆電極工藝前襯底處理，SiC歐姆電極性能優(yōu)化?？涛g后處理，SiC MOS器件性能優(yōu)化。外延前處理，改善外延質量。柵氧先進技術應用。其中，開展了柵介質工藝優(yōu)化的初步研究，分析界面鈍 化技術對柵介質可靠性的影響。結果表明，表面界面鈍化對提高柵介質性能及可靠性具有一定的改善效果。 

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）