據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“半導體器件、半導體器件的制作方法以及三維存儲器“，公開號CN117690974A，申請日期為2024年2月。
專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件、半導體器件的制作方法以及三維存儲器。該器件包括襯底、柵極結構以及兩個外延部，其中，柵極結構位于襯底的部分表面上；兩個外延部分別位于柵極結構的兩側的襯底中，外延部的預定截面的形狀在靠近柵極結構的一側具有至少兩個尖角，且一個外延部的至少兩個尖角沿著預定方向排列。該器件的兩個外延部的預定截面的形狀在靠近柵極結構的一側具有至少兩個尖角，且一個外延部的至少兩個尖角沿著預定方向排列，兩個外延部形成了至少兩對相對的尖角，進一步增加溝道內的應力，從而提升半導體器件的性能，進而解決了現(xiàn)有技術中半導體器件的溝道內應力較低導致半導體性能較差的問題。
