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CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展！

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術(shù)大學徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施俊：SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁俊：新型多級溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學共建碳化硅功率器件產(chǎn)學研合作新生態(tài)

聞泰科技：公司預(yù)計包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

泰克科技張欣：新型功率器件的特性表征?|CASICON重慶站

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

長飛先進半導(dǎo)體申請功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

總投資10億元，芯瓷科技半導(dǎo)體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產(chǎn)

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

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