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半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進(jìn)展

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動態(tài)幾則

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

高導(dǎo)熱金剛石材料的制備及器件應(yīng)用進(jìn)展

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

汽車功率器件的熱管理探討

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所團(tuán)隊首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸相變存儲單元器件

西安交大科研人員揭示弱光有機(jī)光伏器件中光電流高估的機(jī)理

中國團(tuán)隊開發(fā)出一體化Micro LED器件目標(biāo)是顯示和光學(xué)近場通信功能

碳化硅功率器件在車載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡述

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動及簡化柵極驅(qū)動設(shè)計的方法

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所新型顯示團(tuán)隊在微器件巨量組裝和集成領(lǐng)域重要研究進(jìn)展

多層MoS2外延晶圓推動二維半導(dǎo)體器件應(yīng)用的研究進(jìn)展

中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

有機(jī)光伏器件中載流子輸運的時空重復(fù)性

北京理工大學(xué)在拓?fù)湮⒓{光子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

解析射頻微波電感器件之選用玻璃陶瓷基板

清華團(tuán)隊闡釋層狀半導(dǎo)體芯片新材料的橫向結(jié)電子器件應(yīng)用

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

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中國半導(dǎo)體功率器件 TOP10

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令團(tuán)隊在柔性聲學(xué)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

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