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推薦技術材料產業(yè)財經應用

電裝SiC功率半導體的誕生之路和未來的可能性

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

清華大學交叉信息研究院段路明課題組實現(xiàn)量子存儲器增強的非局域圖態(tài)制備

鄭州大學物理學院在自供能多色顯示研究方面取得進展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展

北大物理學院高鵬課題組揭示氮化物異質結界面聲子輸運機制

基于SiC逆變器的電動汽車永磁同步電機控制系統(tǒng)研究

SK海力士開發(fā)出下一代智能內存芯片技術PIM

中國科大潘建偉院士團隊等與海外團隊合作《Science》發(fā)文報道首次觀測到費米超流中的熵波臨界發(fā)散

中科院蘇州納米所團隊在石墨烯調控的氮化鎵遠程外延機理研究獲新進展

碳化硅激光剝離設備國產化中電科二所取得突破性進展

首次成功將超薄半導體和超導體結合，實現(xiàn)以零電阻導電

中國科大郭光燦院士團隊在硅基半導體自旋量子比特操控研究中取得進展

國際首次 | β相氧化鎵功率品質因子國際首次超越SiC理論極限

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

復旦大學袁澤興：基于玻璃封裝高穩(wěn)定鈣鈦礦納米晶色轉換材料的高速水下無線光通信

華南理工大學李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術大學副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺

光通信技術未來更加凸顯其重要性，聽專家學者們怎么說？！

中科院半導體所熒光型LED的OOK調制速率突破1Gbps

重慶郵電大學成功研發(fā)第三代半導體功率芯片

浙大發(fā)布兩款超導量子芯片關鍵指標實現(xiàn)新突破

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

一文看懂半導體刻蝕設備

中科大在日盲紫外探測領域取得新進展

碳化硅晶圓劃片技術

壁仞科技首款通用GPU交付流片采用7nm制程、明年面向市場發(fā)布

國產替代，存儲先行||宏旺ICMAX獲“存儲突破獎”

再破“卡脖子”難題！國內集成電路裝備添重器

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