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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

北京大學(xué)黃如院士團(tuán)隊(duì)在“存內(nèi)計(jì)算AI芯片”領(lǐng)域取得重要研究成果

天津大學(xué)李立強(qiáng)教授課題組：有機(jī)晶體管新進(jìn)展—實(shí)現(xiàn)五年長壽命

CEVA憑借SensPro Sensor Hub DSP協(xié)助客戶有效實(shí)現(xiàn)傳感器融合

國產(chǎn)首臺(tái)自主研發(fā)的8LP雙天車系統(tǒng)SORTER在終端客戶成功通過認(rèn)證

中科大首次實(shí)現(xiàn)芯片集成冷原子磁光阱系統(tǒng) 推動(dòng)量子技術(shù)應(yīng)用

芯瞳半導(dǎo)體有效確定GPU任務(wù)復(fù)雜度

日本團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

郭浩中教授、劉新科研究團(tuán)隊(duì)在Micro-LED背光模組研究中獲得新進(jìn)展，均勻度性能提升32%

均勻度提升32% Micro-LED背光模組最新技術(shù)進(jìn)展

成功案例分享：車載行車記錄儀的電路保護(hù)

國產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片發(fā)展現(xiàn)狀、問題及建議

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

南京大學(xué) | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

芯片上的突破！清華制成世界上柵極長度最小晶體管

天津大學(xué)馬凱學(xué)團(tuán)隊(duì)在5G/6G毫米波技術(shù)取得新進(jìn)展

上海有機(jī)所在阻轉(zhuǎn)異構(gòu)類有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究中取得進(jìn)展

國家納米科學(xué)中心在自旋分子存儲(chǔ)器方面取得新進(jìn)展

蘇州醫(yī)工所董建飛課題組在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的學(xué)習(xí)控制方面取得研究進(jìn)展

南科大潘權(quán)團(tuán)隊(duì)在高速通信芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得系列新成果

上海光機(jī)所提出可見激光材料暗化問題解決新方案

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！

長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進(jìn)展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

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碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管

瀾起科技：整個(gè)DDR5相關(guān)芯片價(jià)值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

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