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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

總投資近3000億？傳世界先進(jìn)擬建首座12英寸

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

能效有望突破1000倍，華中科大科研團(tuán)隊(duì)新型存儲(chǔ)芯片取得重大進(jìn)展

高溫工作垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器現(xiàn)狀與未來(lái)

中科院長(zhǎng)春光機(jī)所梁靜秋團(tuán)隊(duì)在紅光Micro-LED光電特性研究獲進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長(zhǎng)界面研究方面取得新進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所趙德剛團(tuán)隊(duì)研制出室溫連續(xù)功率2W的GaN基大功率紫外激光器

北京大學(xué)沈波、許福軍團(tuán)隊(duì)在高Al組分AlGaN的高效p型摻雜研究中獲重要進(jìn)展

Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提高功率密度

北大材料學(xué)院劉磊課題組在六方氮化硼材料的制備及其同位素效應(yīng)研究中取得系列進(jìn)展

SiC模塊開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

研究人員在5G通信和量子信息處理的高頻率下發(fā)現(xiàn)拓?fù)洮F(xiàn)象

首個(gè)集成在鈮酸鋰芯片上的激光器面世

中國(guó)半導(dǎo)體功率器件 TOP10

SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

IGBT模塊驅(qū)動(dòng)技術(shù)綜述

6英寸晶圓高功率半導(dǎo)體激光芯片量產(chǎn)線(xiàn)

中科院化學(xué)所在印刷制備單一取向有機(jī)半導(dǎo)體單晶陣列方面取得進(jìn)展

工信部：南理工在水系鋰離子電池研究方面取得新進(jìn)展

Vicor 在2022底特律國(guó)際汽車(chē)設(shè)計(jì)工程展（WCX）上為 xEV 呈現(xiàn)最高功率密度的汽車(chē)解決方案

英偉達(dá)前副總裁花18個(gè)月，在中國(guó)造出了12nm全功能GPU芯片

中科院物理所孟慶波團(tuán)隊(duì)在CsPbI3全無(wú)機(jī)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池取得新進(jìn)展

中科院物理所陸凌團(tuán)隊(duì)研制出了性能指標(biāo)具佳的拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器

北理工團(tuán)隊(duì)在構(gòu)筑高效三元有機(jī)太陽(yáng)能電池方面取得進(jìn)展

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令團(tuán)隊(duì)在柔性聲學(xué)器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

壁仞科技首款通用GPU芯片BR100系列一次點(diǎn)亮成功

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