2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門召開。 屆時(shí)，英國巴斯大學(xué)教授王望南將受邀出席論壇，并在Short course專題技術(shù)培訓(xùn)課程中分享《基于UVC和InGaN的紅光LED的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展》的主題報(bào)告，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

王望南，巴斯大學(xué)教授，劍橋大學(xué)物理化學(xué)博士，創(chuàng)立了ONIL和Gaia Bioscience and technology Ltd兩家公司，在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)表50余篇論文，并擁有100余項(xiàng)專利。主要從事光電器件研究，近年來聚焦光子晶體表面發(fā)射激光器（PCSELs）的進(jìn)展，其團(tuán)隊(duì)在大口徑模式控制、窄束發(fā)散角等技術(shù)方面取得突破性成果。作為LIXIN Technology Ltd首席技術(shù)顧問，他參與推動(dòng)納米壓印光刻技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，該技術(shù)被應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。2025年10月，他參與組織的技術(shù)前沿專題課程覆蓋氧化鎵器件、高壓碳化硅MOSFET等熱點(diǎn)技術(shù)。

報(bào)告摘要

基于UVC和InGaN的紅光LED技術(shù)是當(dāng)前Micro LED顯示領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，隨著技術(shù)成熟，有望成為Micro LED全彩顯示的核心解決方案。報(bào)告將圍繞哦深紫外LED、InGaN紅光LED的挑戰(zhàn)，著重分享晶格與熱失配、載流子濃度與遷移率：摻雜，光提?。何眨咩熀縄nGaN生長過程中的相分離現(xiàn)象，光提取效率，先進(jìn)外延結(jié)構(gòu)，活性層與載流子管理，低缺陷模板與緩沖層生長，高反射性接觸電極，空穴注入效率等內(nèi)容。

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