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青禾晶元常溫鍵合設(shè)備獲海外某半導(dǎo)體客戶認(rèn)可,成功導(dǎo)入產(chǎn)線

日期:2025-11-04 閱讀:553
核心提示:青禾晶元自主研發(fā)的SAB61系列產(chǎn)品:【全自動超高真空常溫鍵合設(shè)備】順利完成客戶預(yù)驗收測試,正式交付海外某半導(dǎo)體客戶并入駐其產(chǎn)線。

 近日,青禾晶元自主研發(fā)的SAB61系列產(chǎn)品:【全自動超高真空常溫鍵合設(shè)備】順利完成客戶預(yù)驗收測試,正式交付海外某半導(dǎo)體客戶并入駐其產(chǎn)線。

此次交付的產(chǎn)線對設(shè)備穩(wěn)定性、精度和工藝一致性要求極高,這標(biāo)志著公司【超高真空常溫鍵合設(shè)備】的綜合性能獲得了國際高端市場的認(rèn)可。

青禾晶元總部發(fā)貨現(xiàn)場

客戶接收現(xiàn)場

技術(shù)核心:超高真空常溫鍵合工藝

超高真空常溫鍵合設(shè)備采用超高真空離子束轟擊技術(shù)活化材料表面,無需加熱或退火即可實現(xiàn)牢固共價鍵。鍵合強度高,支持異質(zhì)材料(如SiC、Ga?O?、金剛石)鍵合,無熱應(yīng)力、無界面氧化層。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋復(fù)合襯底、MEMS、高散熱需求的異質(zhì)集成、多節(jié)太陽能電池、光學(xué)晶體集成、柔性電子等。

典型鍵合材料

核心優(yōu)勢:直面高端制造的核心挑戰(zhàn)

常溫鍵合工藝

采用常溫鍵合技術(shù),全過程無需加熱,避免熱應(yīng)力影響,完美兼容2-12英寸Si、SiC、GaN等熱敏感材料。

高強度鍵合界面

通過表面活化與超高真空技術(shù),實現(xiàn)高強度鍵合(≥2.0J/m²@Si-Si鍵合)。鍵合界面潔凈無氧化,展現(xiàn)出卓越的界面質(zhì)量和長期可靠性。

精密工藝控制

配備高精度對準(zhǔn)系統(tǒng),實現(xiàn)Mark對準(zhǔn)≤±2μm的精準(zhǔn)定位。結(jié)合±1%的精密度壓力控制,確保工藝一致性和穩(wěn)定性。

穩(wěn)定量產(chǎn)能力

采用全自動化傳輸系統(tǒng),在保持高精度的同時實現(xiàn)≥6 pairs/h的穩(wěn)定產(chǎn)能,充分滿足工業(yè)化量產(chǎn)需求。

此次SAB6110設(shè)備的成功交付,是青禾晶元在國際化戰(zhàn)略推進中的重要里程碑。公司將繼續(xù)秉持技術(shù)創(chuàng)新理念,為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供更優(yōu)質(zhì)、更可靠的設(shè)備解決方案,助力客戶在先進制造領(lǐng)域取得更大突破。

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