2025年兩院院士增選有效候選人名單已于8月20日公布。中國科學(xué)院有效候選人639人，中國工程院有效候選人660人。在這份名單中，多位長期深耕于金剛石及寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長、超寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)到碳化硅產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)前沿領(lǐng)域。

2025年兩院院士增選工作于4月25日正式啟動(dòng)，中國科學(xué)院和中國工程院增選名額各不超過100名。

中國科學(xué)院公布的增選有效候選人中，數(shù)學(xué)物理學(xué)部98人，化學(xué)部105人，生命科學(xué)和醫(yī)學(xué)學(xué)部125人，地學(xué)部96人，信息技術(shù)科學(xué)部61人，技術(shù)科學(xué)部104人，另有特別推薦領(lǐng)域50人。

中國工程院有效候選人分布在各個(gè)學(xué)部，包括機(jī)械與運(yùn)載工程學(xué)部68人，信息與電子工程學(xué)部68人，化工、冶金與材料工程學(xué)部71人等。

在此次候選人名單中，眾多長期深耕于寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的科研團(tuán)隊(duì)脫穎而出，他們的入選不僅凸顯了該領(lǐng)域在科研層面的重要價(jià)值，更彰顯了其在國家戰(zhàn)略布局與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中的關(guān)鍵地位。以下為相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)介紹（排名不分先后，如有遺漏，歡迎補(bǔ)充指正）：

1、哈爾濱工業(yè)大學(xué)朱嘉琦團(tuán)隊(duì)：長期專注于金剛石晶體材料、透明件材料以及高導(dǎo)熱復(fù)合材料等領(lǐng)域的研究。單晶金剛石憑借其極佳的電學(xué)性能、最高的材料熱導(dǎo)率、良好的化學(xué)惰性以及高的輻射抗性，被譽(yù)為終極半導(dǎo)體材料。該團(tuán)隊(duì)在金剛石成工藝、金剛石高導(dǎo)熱及半導(dǎo)體器件應(yīng)用等方面成果斐然，取得了顯著進(jìn)展。

2、西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成團(tuán)隊(duì)：研究方向聚焦于超寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)（涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁等）、寬禁帶半導(dǎo)體電子學(xué)（如氮化鎵等）以及大功率射頻芯片與電力電子芯片。近年來，團(tuán)隊(duì)在超寬禁帶半導(dǎo)體研究領(lǐng)域取得一系列突破性成果，例如金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管在柵長為2μm時(shí)，仍能保持400mA/mm的高電流密度，并可在200°C環(huán)境下穩(wěn)定工作。

3、華僑大學(xué)徐西鵬團(tuán)隊(duì)：研究方向?yàn)?ldquo;硬脆材料先進(jìn)加工科學(xué)與技術(shù)”，重點(diǎn)探索“半導(dǎo)體材料精密超精密磨粒加工新技術(shù)”。目前，徐西鵬主持國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目“晶圓級(jí)單晶金剛石襯底的活性硬質(zhì)磨粒協(xié)同加工原理與關(guān)鍵技術(shù)研究”。

4、山東大學(xué)徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)：在碳化硅領(lǐng)域成績(jī)卓著，于碳化硅生長機(jī)理、高純半絕緣創(chuàng)制、裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得系列創(chuàng)造性成果。團(tuán)隊(duì)先后突破2 - 12英寸碳化硅單晶生長技術(shù)，在我國首次攻克高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術(shù)壁壘。相關(guān)成果應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)核心器件，已全面列裝于先進(jìn)戰(zhàn)機(jī)、制導(dǎo)武器、大型戰(zhàn)艦等我軍主力裝備。

5、北京大學(xué)沈波團(tuán)隊(duì)：主要從事III族氮化物（GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體物理、材料和器件研究。在強(qiáng)極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運(yùn)規(guī)律、GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延生長和缺陷控制等方面取得重要進(jìn)展，在國內(nèi)外同行中產(chǎn)生一定影響。此外，在GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣自旋性質(zhì)、GaN基量子阱子帶躍遷器件等方面也取得一系列成果。

6、西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì)：二十余年來致力于寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)研究。“高能效超寬帶氮化鎵射頻功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目榮獲2023年度國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

7、中國科學(xué)院物理研究所陳小龍團(tuán)隊(duì)：長期投身于功能晶體材料研究工作，發(fā)展了寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅晶體生長新方法，推動(dòng)我國碳化硅晶體生長和加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無到有、從零到一的跨越，達(dá)成產(chǎn)業(yè)自主可控。通過發(fā)現(xiàn)并利用碳化硅/石墨異質(zhì)雙界面的自發(fā)成核規(guī)律，發(fā)明電場(chǎng) - 磁場(chǎng) - 熱場(chǎng)高效耦合的單晶生長方法和裝備，攻克晶體擴(kuò)徑這一學(xué)術(shù)難題。在國內(nèi)率先開展成果轉(zhuǎn)化，創(chuàng)立國內(nèi)首家碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化公司。提出界面能調(diào)控晶型理論，通過設(shè)計(jì)助溶劑成份，在國際上首次生長出具有實(shí)用價(jià)值的2 - 6英寸的3C - SiC晶體，使3C - SiC/SiO2柵氧界面態(tài)密度降低1個(gè)數(shù)量級(jí)。

8、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司劉國友團(tuán)隊(duì)：自2008年起主持大功率IGBT芯片與模塊技術(shù)的研究與開發(fā)工作，2010年著手組建功率半導(dǎo)體林肯研發(fā)中心，聚焦IGBT和碳化硅技術(shù)。