2025年兩院院士增選有效候選人名單已于8月20日公布。中國科學院有效候選人639人，中國工程院有效候選人660人。在這份名單中，多位長期深耕于金剛石及寬禁帶半導體領域的學者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長、超寬禁帶半導體電子學到碳化硅產(chǎn)業(yè)化等多個前沿領域。

2025年兩院院士增選工作于4月25日正式啟動，中國科學院和中國工程院增選名額各不超過100名。

中國科學院公布的增選有效候選人中，數(shù)學物理學部98人，化學部105人，生命科學和醫(yī)學學部125人，地學部96人，信息技術科學部61人，技術科學部104人，另有特別推薦領域50人。

中國工程院有效候選人分布在各個學部，包括機械與運載工程學部68人，信息與電子工程學部68人，化工、冶金與材料工程學部71人等。

在此次候選人名單中，眾多長期深耕于寬禁帶半導體領域的科研團隊脫穎而出，他們的入選不僅凸顯了該領域在科研層面的重要價值，更彰顯了其在國家戰(zhàn)略布局與產(chǎn)業(yè)應用中的關鍵地位。以下為相關研究團隊介紹（排名不分先后，如有遺漏，歡迎補充指正）：

1、哈爾濱工業(yè)大學朱嘉琦團隊：長期專注于金剛石晶體材料、透明件材料以及高導熱復合材料等領域的研究。單晶金剛石憑借其極佳的電學性能、最高的材料熱導率、良好的化學惰性以及高的輻射抗性，被譽為終極半導體材料。該團隊在金剛石成工藝、金剛石高導熱及半導體器件應用等方面成果斐然，取得了顯著進展。

2、西安電子科技大學張進成團隊：研究方向聚焦于超寬禁帶半導體電子學（涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁等）、寬禁帶半導體電子學（如氮化鎵等）以及大功率射頻芯片與電力電子芯片。近年來，團隊在超寬禁帶半導體研究領域取得一系列突破性成果，例如金剛石場效應晶體管在柵長為2μm時，仍能保持400mA/mm的高電流密度，并可在200°C環(huán)境下穩(wěn)定工作。

3、華僑大學徐西鵬團隊：研究方向為“硬脆材料先進加工科學與技術”，重點探索“半導體材料精密超精密磨粒加工新技術”。目前，徐西鵬主持國家自然科學基金重點項目“晶圓級單晶金剛石襯底的活性硬質(zhì)磨粒協(xié)同加工原理與關鍵技術研究”。

4、山東大學徐現(xiàn)剛團隊：在碳化硅領域成績卓著，于碳化硅生長機理、高純半絕緣創(chuàng)制、裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得系列創(chuàng)造性成果。團隊先后突破2 - 12英寸碳化硅單晶生長技術，在我國首次攻克高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術壁壘。相關成果應用于雷達系統(tǒng)核心器件，已全面列裝于先進戰(zhàn)機、制導武器、大型戰(zhàn)艦等我軍主力裝備。

5、北京大學沈波團隊：主要從事III族氮化物（GaN基）寬禁帶半導體物理、材料和器件研究。在強極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運規(guī)律、GaN基異質(zhì)結構外延生長和缺陷控制等方面取得重要進展，在國內(nèi)外同行中產(chǎn)生一定影響。此外，在GaN基異質(zhì)結構二維電子氣自旋性質(zhì)、GaN基量子阱子帶躍遷器件等方面也取得一系列成果。

6、西安電子科技大學馬曉華團隊：二十余年來致力于寬禁帶半導體基礎創(chuàng)新和關鍵技術研究。“高能效超寬帶氮化鎵射頻功率放大器關鍵技術及在5G通信產(chǎn)業(yè)化應用”項目榮獲2023年度國家科學技術進步一等獎。

7、中國科學院物理研究所陳小龍團隊：長期投身于功能晶體材料研究工作，發(fā)展了寬禁帶半導體碳化硅晶體生長新方法，推動我國碳化硅晶體生長和加工技術實現(xiàn)從無到有、從零到一的跨越，達成產(chǎn)業(yè)自主可控。通過發(fā)現(xiàn)并利用碳化硅/石墨異質(zhì)雙界面的自發(fā)成核規(guī)律，發(fā)明電場 - 磁場 - 熱場高效耦合的單晶生長方法和裝備，攻克晶體擴徑這一學術難題。在國內(nèi)率先開展成果轉化，創(chuàng)立國內(nèi)首家碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化公司。提出界面能調(diào)控晶型理論，通過設計助溶劑成份，在國際上首次生長出具有實用價值的2 - 6英寸的3C - SiC晶體，使3C - SiC/SiO2柵氧界面態(tài)密度降低1個數(shù)量級。

8、株洲中車時代半導體有限公司劉國友團隊：自2008年起主持大功率IGBT芯片與模塊技術的研究與開發(fā)工作，2010年著手組建功率半導體林肯研發(fā)中心，聚焦IGBT和碳化硅技術。