一、研究所簡介
1956年,在新中國首個中長期科學技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃》中,半導體科學技術(shù)被確立為國家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系,我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors, CAS),開啟了中國半導體科學技術(shù)的發(fā)展之路。
建所65年來,半導體研究所在我國半導體科技發(fā)展的各個歷史階段均做出了重大貢獻,取得了令人矚目的成就:中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶,第一只鍺晶體管、硅平面晶體管,第一塊集成電路,第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐等,均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項,黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術(shù)獎。
半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應用為一體的國家級綜合性研究機構(gòu),擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室;兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心;一個院級實驗室——中國科學院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室;還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、寬禁帶半導體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測中心。現(xiàn)有職工700余人,其中包括中國科學院院士8名,中國工程院院士1名,高層次引進人才計劃入選者53人,國家級領(lǐng)軍人才計劃入選者27 人,國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設有3個博士后流動站,擁有8個學術(shù)型學科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點,以及2個專業(yè)學位領(lǐng)域培養(yǎng)點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術(shù)學院的主辦單位,研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。
二、研究所科研條件支撐平臺
研究所構(gòu)建了覆蓋半導體研發(fā)制造全鏈條的國際一流設施和技術(shù)體系,涵蓋材料仿真、分子束外延生長、納米光刻、等離子刻蝕、先進封裝及晶圓級測試等全流程能力,包括:從原子級到系統(tǒng)級半導體材料與器件仿真,從分子束外延到納米級電子束光刻系統(tǒng),從等離子體刻蝕系統(tǒng)到晶圓級先進封裝,以及完備的材料表征實驗室和晶圓級測試平臺。研究所現(xiàn)有百級/千級超凈實驗室總面積逾6000平方米,大型半導體設備種類齊全,可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進半導體材料與器件,工作波長覆蓋紫外、可見光、紅外、太赫茲至微波波段,形成了“機理-設計-制造-封裝-測試”五位一體的完整研發(fā)閉環(huán),可為微電子和光電子系統(tǒng)提供從原型開發(fā)到小批量試制的全周期支撐。
三、招聘領(lǐng)域
半導體所擬在半導體科學與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域(包括但不限于凝聚態(tài)物理、半導體物理、半導體器件物理、半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統(tǒng)、電子信息、材料與化工等學科方向)招聘海內(nèi)外青年人才。
四、招聘崗位
詳見《中國科學院半導體研究所特別研究助理(博士后)招聘計劃》(附件1)。
五、應聘條件
1.獲得博士學位,且獲學位時間一般不超過3年;
2.身心健康,年齡在35周歲以下(含35歲);
3.進站后保證全脫產(chǎn)從事博士后研究工作;
4.恪守科研道德和學術(shù)規(guī)范,學風正派,愛崗敬業(yè),誠實守信;
5.具有較大發(fā)展?jié)摿?,較好的創(chuàng)新研究成果,良好的團隊協(xié)作精神;
6.符合全國博管會及研究所招收博士后的相關(guān)要求。
六、福利待遇
1.半導體所提供有競爭力的薪酬待遇,享受完備的社保和福利待遇;
2.支持申請國家資助博士后研究人員計劃(A/B/C檔)、博士后國(境)外交流項目、中國科學院特別研究助理資助項目、中國博士后科學基金、國家自然科學基金等基金項目;
3.成果優(yōu)秀的博士后出站后可優(yōu)先競聘半導體所的相關(guān)工作崗位;
4.享受全國博管會關(guān)于出站博士后戶口遷移及家屬戶口隨遷等政策。
七、應聘材料
1.《中國科學院半導體研究所特別研究助理(博士后)申請表》;
2.證明個人能力的材料,如:博士學位論文、論文著作首頁、專利證書、獲獎證書復印件等;
3.畢業(yè)證書、學位證書掃描件(未獲得學位可暫用培養(yǎng)單位證明代替)。
八、應聘程序
應聘者以電子郵件附件的形式將應聘材料發(fā)送至各崗位聯(lián)系人郵箱,郵件標題請注明“博士后競聘+姓名+專業(yè)+畢業(yè)學校”。研究所各相關(guān)部門將對應聘人員進行資格審查,并電話或郵件通知初審合格者后續(xù)招聘事宜,資格審查未通過者,不再另行告知。
應聘過程中如有政策問題請聯(lián)系半導體所人事教育處:
聯(lián)系人:陳老師
電話:010-82305345
地址:北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
官方網(wǎng)站:http://www.semi.cas.cn
(來源:中國科學院半導體研究所)