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富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

IFWS2024：氮化鎵射頻電子器件與應用分會日程出爐

合肥晶合集成電路申請一種半導體器件的制作方法專利，能夠提高半導體器件的性能

無錫博通申請半橋GaN增強型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

氮化鎵射頻電子器件與應用分會日程出爐 | IFWS2024 前瞻

一文解開遠山氮化鎵功率器件實現(xiàn)耐高壓的秘密

富特科技：已實現(xiàn)SiC半導體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應用，且應用技術(shù)已相對成熟

華潤微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目預計2025年試生產(chǎn)

遠山半導體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）建設項目竣工投產(chǎn)

米家智能小家電拆解匯總：小米的元器件供應商都有哪些？

格蘭菲申請功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

漢道精密制造年產(chǎn)1.8億件半導體元器件項目開工奠基

忱芯科技申請?zhí)蓟韫β拾雽w器件的驅(qū)動板和測試方法專利

【南昌光電博覽會】聚焦半導體光電裝備、材料、器件及工藝發(fā)展

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

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芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會前瞻：半導體光電裝備、材料、器件及工藝

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

揚杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

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總投資50億，半導體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目開工！

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河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

欣代半導體器件東寶智造產(chǎn)業(yè)園項目簽約

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