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龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

元器件采購商不想被坑？認準這一招！

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

2024南昌光電博覽會前瞻：半導體光電裝備、材料、器件及工藝

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

揚杰科技申請一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

美國ITC對特定半導體器件及其下游產(chǎn)品啟動337調(diào)查

總投資50億，半導體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目開工！

日本航空電子高端電子元器件項目簽約無錫

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

欣代半導體器件東寶智造產(chǎn)業(yè)園項目簽約

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

電動工具研討會展商陣容揭曉，您的元器件選型指南！

粵芯半導體“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

中晶科技:已在國內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導體功率芯片及器件領域占據(jù)領先的市場地位

華潤微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預計下半年可實現(xiàn)滿產(chǎn)

英飛凌144億工廠落成，8英寸碳化硅器件年底量產(chǎn)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

總投資超4億元，百事聯(lián)電子元器件產(chǎn)品建設項目在廈門海滄開工

總投資90億元，萊寶高科湖州微腔電子紙顯示器件項目開工

芯聯(lián)集成“半導體器件的制備方法及半導體器件”專利獲授權(quán)

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