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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

《Nature》：金剛石中氮空位中心系綜的自旋擠壓！

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強電學(xué)性能的應(yīng)用

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

深圳平湖實驗室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進展

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

成本直降98%！微合金化復(fù)合焊片：媲美燒結(jié)銀性能的功率半導(dǎo)體封裝新技術(shù)

天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進展！

上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

吉林大學(xué)團隊發(fā)表金剛石 n 型摻雜最新成果

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北理工課題組在低維偏振熱輻射納米光源方面取得新進展

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

我國科學(xué)家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學(xué)化學(xué)系團隊合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

南京大學(xué)王欣然教授團隊Nature Materials：實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體堆垛調(diào)控新進展

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

刷新紀錄！鄭州大學(xué)實現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長

稀土卡關(guān)危機！中國限制出口德國車廠恐停工

南京工業(yè)大學(xué)先進材料AM：界面誘導(dǎo)生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

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