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天成半導體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

日期:2025-10-15 閱讀:460
核心提示:天成半導體官微宣布,繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后,又依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料,12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。

近日,天成半導體官微宣布,繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后,又依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料,12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。

天成半導體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝,且自研的長晶設備可產(chǎn)出直徑達到350㎜的單晶材料。

12英寸導電型碳化硅單晶材料

12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料

山西天成半導體材料有限公司成立于2021年8月,由多位碳化硅領域博士及具有頭部生產(chǎn)企業(yè)任職經(jīng)歷的業(yè)內(nèi)一線人員發(fā)起,是一家專注于第三代半導體碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)及晶體生長裝備制造的高新、專精特新技術企業(yè)。公司堅持以自主研發(fā)為核心,構建起具備完整自主知識產(chǎn)權的技術體系。目前已擁有多項專利軟著,并獲得IATF16949車規(guī)質量管理體系認證,長晶設備獲得歐盟CE認證。

公司不斷迭代產(chǎn)品工藝,在大尺寸、低成本量產(chǎn)方面實現(xiàn)關鍵技術突破,率先研發(fā)出可量產(chǎn)的8-12英寸導電型和半絕緣型碳化硅單晶材料,產(chǎn)品質量達到國際領先水平。公司現(xiàn)已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長、生產(chǎn)耗材加工等完整的生產(chǎn)線。實現(xiàn)了從碳化硅長晶設備制造、粉料、籽晶、熱場設計到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。

未來,天成半導體將繼續(xù)聚焦大尺寸碳化硅單晶材料的產(chǎn)業(yè)化技術,以先進成熟的工藝能力為基石,致力于為客戶提供碳化硅材料生產(chǎn)中高品質、高可靠性的“裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案。公司也將秉承“創(chuàng)新·高效·堅韌·務實”的企業(yè)精神,向“助力中國半導體產(chǎn)業(yè)健康持續(xù)發(fā)展”的企業(yè)愿景不斷邁進。

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