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CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

法國AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質量GaN單晶襯底

納微GaNSafe?正式通過車規(guī)認證

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術

晶湛半導體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進程

比利時氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計劃生產(chǎn)光芯片

標準 | 《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

超6300萬！三墾電氣全資收購GaN企業(yè)Powdec株式會社

聞泰科技：公司預計包括SiC、GaN和IGBT在內的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

中企競標收購比利時氮化鎵廠商BelGaN

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

武漢大學聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領域取得新進展

UIS應力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

比利時氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質結構紫外光伏探測器取得進展

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質量因子

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

納維達斯半導體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅動器合封專利，實現(xiàn)高頻能力

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

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