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郭明錤：預(yù)計(jì)蘋果今年將發(fā)布30W快充GaN充電器，采用全新外觀設(shè)計(jì)

GaN Systems：車用GaN將在2024年爆發(fā)

賽微電子：公司一直在努力解決GaN業(yè)務(wù)的供應(yīng)問題

吳越半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略融資，曾發(fā)布厚度突破1厘米的GaN晶體

晶方科技：2000萬美元投資第三代半導(dǎo)體GaN器件設(shè)計(jì)公司VisIC

賽微電子：GaN（氮化鎵）制造產(chǎn)線正在建設(shè)中

GaN功率半導(dǎo)體的可靠性挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)之策

國星三代半再出新品，SiC模塊、GaN器件、SiC功率分立器件齊上新

納微半導(dǎo)體宣布在上海成立一個(gè)電動(dòng)車GaN芯片設(shè)計(jì)中心

第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成

國星光電：公司第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

無錫誕生全球最薄半導(dǎo)體GaN晶體，厚度突破1厘米！

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應(yīng)用

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨(dú)立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機(jī)理研究

西安電子科技大學(xué)寧靜：基于維度調(diào)控的GaN紫外LED及光電集成

中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應(yīng)用

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

挪威科學(xué)院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的AlGaN納米線UV LED

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

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