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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬歐元

《GaN半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》啟動(dòng)編制工作，征集業(yè)內(nèi)機(jī)構(gòu)及企業(yè)參編單位！

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

國(guó)產(chǎn)突破！無錫先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD2025

CSA半導(dǎo)體激光器專委會(huì)啟動(dòng)半導(dǎo)體激光器團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制定與GaN激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書編制工作

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》發(fā)布

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

京東方華燦GaN電力電子突破：消費(fèi)級(jí)可靠性1000H突破，工業(yè)級(jí)JEDEC蓄勢(shì)待發(fā)

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

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