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CASICON晶體大會前瞻|上海交通大學王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測試及應用研究

CSPSD 2024論壇2：追蹤高壓器件設計、集成及封裝應用發(fā)展趨勢

百識電子完成A+輪融資，加速耐高壓、大尺寸第三代半導體外延布局

斯達微電子高壓特色工藝功率芯片和SIC芯片項目設備搬入

北大團隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

新疆首個高壓電力電子實驗室投入使用

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤：2024，決戰(zhàn)智能化！

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小米發(fā)布 800V 碳化硅高壓平臺：最高電壓 871V，電池續(xù)航可超 1000km

東南大學溧陽研究院中標《高壓碳化硅功率模組封裝與集成技術(shù)研究服務》項目

有研硅：主要用于高壓IGBT的8英寸區(qū)熔硅片已進入客戶驗證階段

上車！哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

萊特葳芯半導體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術(shù)研究進展

國瓷材料：隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)推廣，公司陶瓷球已搭載國外頭部車企主力車型

奧海科技：800V高壓碳化硅平臺可以解決充電速度的問題

奧?？萍迹?00V 碳化硅平臺的高壓MCU項目在穩(wěn)步推進

小鵬汽車“扶搖”架構(gòu)：將標配全域800V高壓SiC碳化硅平臺

中國科大首次實現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測

國際首次！科研團隊在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

美國弗吉尼亞理工大學張宇昊：中高壓（1-10kV）氮化鎵功率器件新進展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

簡述兆巴高壓下的金剛石NV中心光探磁共振

高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進展

中電科實現(xiàn)車規(guī)級高壓碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)

國聯(lián)萬眾發(fā)布研發(fā)項目環(huán)評報告表碳化硅高壓功率模塊研發(fā)項目預計明年1月開工

小鵬G9上市在即，采用800V碳化硅高壓電驅(qū)平臺！高壓快充路線受青睞！

高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真分析

小鵬下半年將布局全新超級充電樁，采用800V高壓Sic平臺

小鵬G9 旗艦SUV即將上市，是國內(nèi)首款基于800V高壓SiC平臺的量產(chǎn)車

聞泰科技披露三大業(yè)務板塊進展：安世半導體已研發(fā)出中高壓MOSFET新產(chǎn)品

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