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安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)

激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得突破性進(jìn)展

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

芯聯(lián)集成2025 Q3業(yè)績報告出爐，新能源+AI” 雙賽道取得關(guān)鍵突破！

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)關(guān)鍵突破

光峰科技與深技大共建聯(lián)合實驗室，發(fā)力半導(dǎo)體激光技術(shù)突破

我國新型智能穿戴產(chǎn)品總量突破18.1萬種

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

路明科技集團(tuán)肖志國：稀土發(fā)光材料與半導(dǎo)體發(fā)光芯片技術(shù)突破與前沿進(jìn)展

漢驊半導(dǎo)體2025四大突破！國內(nèi)首個3DIC異構(gòu)集成GaN Plus平臺超越摩爾

華科大戴江南教授、彭洋副教授團(tuán)隊在最短波長毫瓦級遠(yuǎn)紫外Micro-LED器件取得突破

西電郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

Wolfspeed全球范圍內(nèi)的專利突破2300項，推動碳化硅技術(shù)進(jìn)步與行業(yè)可持續(xù)發(fā)展

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

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Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

西電郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

上海交大集成電路學(xué)院團(tuán)隊在光收發(fā)芯片領(lǐng)域迎來新突破

納微雙向GaN激活微逆單級“芯”突破

伯芯微電子封裝項目投產(chǎn)，月產(chǎn)能將突破2億顆！

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華林嘉業(yè)丨突破技術(shù)壁壘！CGB成功交付12寸全自動槽式清洗設(shè)備

青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

科研成果 | 光子循環(huán)再生新突破：利用未逃逸光子再生空穴，突破深紫外LED空穴注入效率和光提取效率瓶頸最新成果

科研新進(jìn)展 | 廈大周偉教授團(tuán)隊在激光精密制造領(lǐng)域取得突破進(jìn)展

華林嘉業(yè)碳化硅專用清洗設(shè)備交付！助力第三代半導(dǎo)體客戶量產(chǎn)突破

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

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