近期，北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功利用自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備實(shí)現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標(biāo)志著中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備領(lǐng)域邁出重要一步，為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的降本增效提供了全新解決方案。該技術(shù)此前在6/8英寸碳化硅領(lǐng)域已通過(guò)多家客戶驗(yàn)證，設(shè)備性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

本次技術(shù)突破對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有多重意義，主要包括：

1.大幅降低生產(chǎn)成本：12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單位芯片成本降低30%-40%

2.提升產(chǎn)業(yè)供給能力：解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，為全球碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┝嗽O(shè)備保障

3.加速國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程：打破了國(guó)外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國(guó)半導(dǎo)體裝備自主可控提供了重要支撐

4.促進(jìn)下游應(yīng)用普及：成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用

北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司是中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，專注于半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司以激光應(yīng)用技術(shù)為核心，開(kāi)發(fā)了系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體加工設(shè)備，服務(wù)客戶覆蓋國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體制造企業(yè)。

晶飛半導(dǎo)體CEO表示，“我們始終堅(jiān)持以技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，12寸碳化硅激光剝離技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)，不僅是公司技術(shù)實(shí)力的體現(xiàn)，更得益于北京市科委、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的大力支持，以及由京津冀國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心組織實(shí)施的‘顛覆性技術(shù)創(chuàng)新’重點(diǎn)專項(xiàng)的支持。未來(lái)，我們將繼續(xù)加大研發(fā)投入，為客戶提供更多優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體裝備解決方案。”

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備注：本文中所有技術(shù)數(shù)據(jù)和性能指標(biāo)均經(jīng)過(guò)公司內(nèi)部測(cè)試驗(yàn)證，具體性能可能因客戶實(shí)際使用環(huán)境而有所差異。

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