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中國(guó)科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長(zhǎng)

恒普科技量產(chǎn)推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長(zhǎng)爐

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)核心技術(shù)

重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長(zhǎng)爐，突破行業(yè)核心需求

中科院半導(dǎo)體所在氮化物材料生長(zhǎng)界面研究方面取得新進(jìn)展

最新透露 | 天岳先進(jìn)：公司具備設(shè)計(jì)不同尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐能力

晶盛機(jī)電：全自動(dòng)金剛石生長(zhǎng)爐研發(fā)成功可一次實(shí)現(xiàn)20顆以上4-5克拉毛坯鉆石生產(chǎn)能力

天岳先進(jìn)：公司具備設(shè)計(jì)不同尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐能力

高溫溶液法生長(zhǎng)SiC單晶的研究進(jìn)展

晶體材料實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)在鹵化物鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及應(yīng)用方面取得系列新成果

北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)研究

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)研究

奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長(zhǎng)高質(zhì)量大尺寸AlN單晶的最新進(jìn)展與挑戰(zhàn)

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強(qiáng)：無(wú)氨高溫 MOCVD 生長(zhǎng)的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長(zhǎng)的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測(cè)器研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長(zhǎng)研究綜述

山東力冠微電子孫軍偉：第三代半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)及相關(guān)裝備進(jìn)展

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展

晶盛機(jī)電：首臺(tái)12英寸硬軸直拉爐成功生長(zhǎng)出硅單晶

晶盛機(jī)電：成功生長(zhǎng)出 6 英寸碳化硅晶體

晶盛機(jī)電：12英寸單晶硅生長(zhǎng)爐及部分加工設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷售

晶格領(lǐng)域：公司液相法生長(zhǎng)碳化硅晶圓項(xiàng)目開始試生產(chǎn)

奧趨光電：氮化鋁單晶生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)展及其未來(lái)挑戰(zhàn)

沙特阿拉伯阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無(wú)位錯(cuò)多晶GaN層在寬范圍襯底上生長(zhǎng)高效率的無(wú)催化劑GaN納米線

日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測(cè)系統(tǒng)在SiC生長(zhǎng)中的應(yīng)用

山東大學(xué)張雷：溫度梯度對(duì)PVT法生長(zhǎng)AlN晶體的影響

日本國(guó)立佐賀大學(xué)郭其新：超寬帶隙氧化鎵的低溫生長(zhǎng)和表征

北京大學(xué)楊學(xué)林：硅襯底上氮化物大失配異質(zhì)外延生長(zhǎng)

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