近日，由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)（公號）、博聞創(chuàng)意會展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導體技術及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。

 

第三代半導體設備技術是第三代半導體技術發(fā)展的重要支撐和基礎。會上，山東力冠微電子裝備有限公司銷售總監(jiān)孫軍偉做了題為“第三代半導體晶體生長及相關裝備進展”的主題報告，6寸碳化硅單晶生長難點（感應加熱方式）涉及原料區(qū)和生長區(qū)的溫度需要獨立控制；腔室真空度及泄漏率難以降低背景氮雜質濃度，導致?lián)诫s不可控；高溫下，保溫損耗和變形，導致溫場穩(wěn)定性、一致性差等，主要解決方法包括雙線圈分區(qū)控制，優(yōu)化密封技術，減少氮雜質；獨特的坩堝旋轉，降低對坩堝溫場的影響等。

 

山東力冠是專門從事晶體生長設備、半導體工藝裝備的一家專業(yè)裝備生產(chǎn)商，報告分享了HVPE設備、氮化鋁PVT設備、導模法單晶生長設備、SIC芯片熱處理設備等的新進展。