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安森美官宣:進(jìn)軍垂直
氮化
鎵
評(píng)論 ?
2025-11-01 21:30
國(guó)博公司硅基
氮化
鎵功率放大器芯片在智能移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用
評(píng)論 ?
2025-10-31 19:52
安森美發(fā)布垂直
氮化
鎵(GaN)半導(dǎo)體:為人工智能(AI)與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-10-31 11:33
IFWS&SSLCHINA 2025:
氮化
物材料生長(zhǎng)及光電技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐!
評(píng)論 ?
2025-10-24 18:49
標(biāo)準(zhǔn) | 《
氮化
鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測(cè)試 脈沖電壓法》立項(xiàng)
評(píng)論 ?
2025-10-23 10:32
IFWS2025:
氮化
物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)及應(yīng)用分會(huì)最新報(bào)告出爐!
評(píng)論 ?
2025-10-22 18:39
東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸
氮化
鎵(GaN)功率器件研發(fā)和應(yīng)用
評(píng)論 ?
2025-10-21 16:23
最新報(bào)告出爐!IFWS2025:
氮化
鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇——驅(qū)動(dòng)能效革命,賦能AI芯動(dòng)力
評(píng)論 ?
2025-10-19 12:49
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰:功率
氮化
鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2025-10-16 15:41
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)王嘉:通過鎂插層增強(qiáng)
氮化
鎵中的P型摻雜、接觸性能和器件性能
評(píng)論 ?
2025-10-16 11:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|北京大王平:新興纖鋅礦
氮化
物鐵電半導(dǎo)體材料與器件
評(píng)論 ?
2025-10-16 11:42
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林:
氮化
鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-10-15 15:17
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超:垂直
氮化
物功率器件
評(píng)論 ?
2025-10-15 10:25
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin:
氮化
物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案
評(píng)論 ?
2025-10-14 10:49
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定:基于Ⅲ族
氮化
物的微型紫外光譜成像儀
評(píng)論 ?
2025-10-13 15:46
能訊持續(xù)升級(jí)高性能
氮化
鎵工藝平臺(tái),助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新
評(píng)論 ?
2025-10-09 14:47
上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在
氮化
鎵光電單片集成方面取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-10-03 07:09
年產(chǎn)值2.3億元,
氮化
鎵單晶襯底項(xiàng)目,已全面達(dá)產(chǎn)
評(píng)論 ?
2025-09-26 22:08
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所
氮化
物片上光通信集成系統(tǒng)研制取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-09-26 18:01
2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸
氮化
鎵和
氮化
鋁晶體生長(zhǎng)研究新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-09-18 16:28
2025云南晶體大會(huì)前瞻|甬江實(shí)驗(yàn)室陳荔:
氮化
鋁半極性面外延調(diào)控及其在深紫外LED中的應(yīng)用
評(píng)論 ?
2025-09-18 10:36
2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng):
氮化
物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究
評(píng)論 ?
2025-09-17 11:27
國(guó)新辦發(fā)布會(huì)肯定成都科創(chuàng)成果,實(shí)驗(yàn)室全球首個(gè)
氮化
鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名
評(píng)論 ?
2025-09-15 18:09
2025云南晶體大會(huì)前瞻|?中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所蔣科:基于三族
氮化
物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光憶阻器研究
評(píng)論 ?
2025-09-15 10:36
中科大孫海定:
氮化
鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)
評(píng)論 ?
2025-09-12 11:45
2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘:III族
氮化
物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究
評(píng)論 ?
2025-09-10 15:45
2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前:
氮化
鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2025-09-05 09:44
英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型
氮化
鎵功率器件系列全面上市
評(píng)論 ?
2025-09-05 09:17
深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì):通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直
氮化
鎵MOS電容器
評(píng)論 ?
2025-09-05 09:11
廈門大學(xué)&廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于
氮化
物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法
評(píng)論 ?
2025-09-03 15:37
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