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意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法專利

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

中企競標(biāo)收購比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺(tái)

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

賽微電子：公司已開展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

Navitas預(yù)計(jì)2025年人工智能和電動(dòng)汽車的氮化鎵需求增加

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊(duì)發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

Navitas第四季度營收1800萬美元，氮化鎵收入創(chuàng)紀(jì)錄

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項(xiàng)氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

一批半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延材料中位錯(cuò)的原子級攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設(shè)備資產(chǎn)

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開

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