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北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

日期:2024-08-16 閱讀:259
核心提示:天眼查顯示,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司碳化硅晶體生長裝置專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年8月9日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN118461121A

天眼查顯示,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司“碳化硅晶體生長裝置”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年8月9日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN118461121A。

本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體生長裝置,涉及碳化硅單晶材料的制造技術(shù)領(lǐng)域,為解決坩堝內(nèi)的粉體溫度均勻性差的問題而設(shè)計(jì)。碳化硅晶體生長裝置包括坩堝、感應(yīng)線圈組件和蓋設(shè)于坩堝上方的蓋板,蓋板用于在蓋板的中心設(shè)置籽晶,坩堝內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)的感應(yīng)加熱件;感應(yīng)加熱件具有封閉連續(xù)的外周面,且能夠在感應(yīng)線圈組件的作用下產(chǎn)生感應(yīng)渦電流。本發(fā)明提供的碳化硅晶體生長裝置可以改善坩堝內(nèi)的粉體溫度均勻性。

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