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效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

Wolfspeed：高效率和耐久性為成本優(yōu)化的系統(tǒng)提供重要價值

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標桿超越80 PLUS紅寶石標準

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時簡化設計

西電郝躍院士團隊常晶晶教授等人在柔性鈣鈦礦太陽能電池機械穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率方面取得新進展

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

“伺”來運轉(zhuǎn)，看施耐德電氣如何為上百種工業(yè)設備打造效率影響力？

美國實驗室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

昕感科技申請一種終端復合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

漢斯半導體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設計更簡單

南大譚海仁教授課題組刷新全鈣鈦礦光伏電池光電轉(zhuǎn)化效率世界紀錄

格創(chuàng)東智天樞AI平臺3.0：從數(shù)據(jù)到效果，閉環(huán)服務提升產(chǎn)線效率

福建泓光半導體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

豪緯集團申請一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

銀河微電申請SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設計方法專利，設計效率高

廣電計量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

天岳先進：持續(xù)進行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長效率和質(zhì)量

中科潞安量產(chǎn)產(chǎn)品性能再升級大功率UVC-LED器件實驗室效率破9.5%

三安光電臧雅姝：固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導體獲數(shù)千萬元天使輪融資

SSLCHINA2023│北京大學教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

SSLCHINA2023│北京工業(yè)大學郭偉玲：MicroLED的尺寸效應與高色彩轉(zhuǎn)換效率

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展

泰克攜手芯源系統(tǒng)(MPS)助力高效率高功率密度電源應用

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