天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，常州銀河世紀微電子股份有限公司申請一項名為“一種SiCMOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法“的專利，公開號CN202410426444.5，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種SiC MOSFET板級封裝優(yōu)化設(shè)計方法，包括以下步驟：構(gòu)建SiC MOSFET FOPLP的寄生電感、模塊熱阻與等效累計塑性功解析物理模型；構(gòu)建SiC MOSFET FOPLP的多目標優(yōu)化模型，以寄生電感、模塊熱阻與累計塑性功作為優(yōu)化目標函數(shù)，以封裝結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)作為優(yōu)化變量，以制造工藝作為約束條件；基于多目標粒子群算法對多目標優(yōu)化模型進行求解，得到目標空間的帕累托解集；基于應(yīng)用場景，使用優(yōu)劣解距離法對帕累托解集中的解進行排序與挑選，得到SiC MOSFET FOPLP不同封裝結(jié)構(gòu)的最優(yōu)幾何參數(shù)組合。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有考慮了電學(xué)、熱學(xué)與力學(xué)特性的耦合關(guān)系，設(shè)計效率高等優(yōu)點。

來源：金融界