據(jù)日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）官網(wǎng)最新報告，該校設(shè)計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準界限?；诖嗽O(shè)計的光刻設(shè)備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。（科技日報）