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極紫外光刻新技術問世 能大幅提高能源效率并降低半導體制造成本

日期:2024-08-02 閱讀:590
核心提示:日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)官網(wǎng)最新報告,該校設計了一種極紫外(EUV)光刻技術,超越了半導體制造業(yè)的標準界限。

 據(jù)日本沖繩科學技術大學院大學(OIST)官網(wǎng)最新報告,該校設計了一種極紫外(EUV)光刻技術,超越了半導體制造業(yè)的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源,其功耗還不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一,從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。(科技日報)

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