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廣州華瑞升陽(yáng)申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

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揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

《用于零電壓軟開(kāi)通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

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【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向導(dǎo)通損耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向導(dǎo)通損耗氧化鎵縱向FinFET

北京交大科研團(tuán)隊(duì)提出GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測(cè)試與優(yōu)化方法

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開(kāi)關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》形成委員會(huì)草案

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問(wèn)題分析與設(shè)計(jì)建議

新聞發(fā)布 | 超低導(dǎo)通阻抗USB C受電接口保護(hù)開(kāi)關(guān)，可提供140W的高功率

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向導(dǎo)通晶體管電學(xué)特性的影響研究

東芝推出采用全新封裝的光繼電器，助力實(shí)現(xiàn)高密度貼裝

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

二極管為什么單向?qū)щ姡窟@篇文章終于說(shuō)明白了

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