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瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授當(dāng)選俄羅斯科學(xué)院外籍院士

刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長(zhǎng)

南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長(zhǎng)法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

大連理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)：通過提高晶體質(zhì)量增強(qiáng) β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

博睿光電向重慶大學(xué)捐贈(zèng)設(shè)立“博睿光電獎(jiǎng)學(xué)金”

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)陳靜：智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計(jì)

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)明鑫：面向AI服務(wù)器電源的低壓GaN驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|電子科技大學(xué)章文通：基于電荷場(chǎng)調(diào)制機(jī)理的高溫高壓車規(guī)SOI超結(jié)BCD技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

CSPSD 2025前瞻|濟(jì)南大學(xué)張春偉：場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制：基于電荷的視角

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

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