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北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

北京大學(xué)王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團(tuán)隊(duì)在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破

北京大學(xué)深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)：推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代！

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

北京大學(xué)申請金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專利，能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開工

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

北京大學(xué)申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

北京大學(xué)集成電路學(xué)院半導(dǎo)體器件參數(shù)測量儀采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

北京大學(xué)申請大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

北京大學(xué)申請高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

北京大學(xué)集成電路學(xué)院招聘專技2人，2.10截止

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北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長研究

北京大學(xué)申請GaN與碳納米管CMOS電路專利

北京大學(xué)無錫EDA研究院，揭牌！

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SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

東科與北京大學(xué)成立第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心

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北京大學(xué)

北京大學(xué)物理學(xué)院（School of Physics,Peking University）是北京大學(xué)的二級學(xué)院。北京大學(xué)1913年設(shè)立物理學(xué)門，我國物理學(xué)本科教育從此開始。1919年更名為物理系。抗戰(zhàn)時(shí)期，北大、清華、南開三校物理系合并于西南聯(lián)合大學(xué)。1952年全國院系調(diào)整后，北京大學(xué)物理系集原北大、清華、燕大三校物理精英成為我國高校實(shí)力最強(qiáng)的物理重鎮(zhèn)，并先后創(chuàng)辦或參與創(chuàng)建全國高校第一個(gè)核科學(xué)專業(yè)、半導(dǎo)體物理專業(yè)、地球物理專業(yè)、微電子專業(yè)等。2001年，北京大學(xué)物理學(xué)院在原物理系以及重離子物理研究所、技術(shù)

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