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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|
北京大學(xué)
鞠光旭:基于同步輻射X射線的OMVPE條件下 (In)GaN生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原位研究
評(píng)論 ?
2025-10-16 11:34
2025云南晶體大會(huì)前瞻|
北京大學(xué)
王新強(qiáng):氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究
評(píng)論 ?
2025-09-17 11:27
2025云南晶體大會(huì)前瞻|?
北京大學(xué)
孫棟:外爾半導(dǎo)體Te--新一代中紅外半導(dǎo)體器件材料
評(píng)論 ?
2025-09-15 10:42
2025云南晶體大會(huì)前瞻|
北京大學(xué)
王嘉銘:III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究
評(píng)論 ?
2025-09-10 15:45
北京大學(xué)
電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-09-02 09:03
北京大學(xué)
許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備
評(píng)論 ?
2025-08-11 20:09
北京大學(xué)
在IEEE ISPSD發(fā)表2項(xiàng)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-08-04 08:12
北京大學(xué)
王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-07-10 08:59
北京大學(xué)
團(tuán)隊(duì)成功研制無(wú)閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件
評(píng)論 ?
2025-05-22 18:32
CSPSD 2025前瞻|
北京大學(xué)
魏進(jìn):GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓
評(píng)論 ?
2025-05-07 10:04
北京大學(xué)
王劍威、龔旗煌課題組在連續(xù)變量光量子芯片領(lǐng)域取得重大突破
評(píng)論 ?
2025-02-20 14:47
北京大學(xué)
團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-12-25 10:09
北京大學(xué)
沈波教授:基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024
評(píng)論 ?
2024-11-25 14:32
北京大學(xué)
電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團(tuán)隊(duì)在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破
評(píng)論 ?
2024-10-14 09:25
北京大學(xué)
深圳研究生院在高性能低維柔性電子集成方向取得重要進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-10-08 09:01
北京大學(xué)
王新強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì):推動(dòng)高功率UVC-LED晶圓進(jìn)入低成本4英寸時(shí)代!
評(píng)論 ?
2024-09-12 20:45
北京大學(xué)
在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-07-12 22:09
北京大學(xué)
申請(qǐng)金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法專(zhuān)利,能夠得到高質(zhì)量且低熱阻的金剛石基氮化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
評(píng)論 ?
2024-07-01 16:06
北京大學(xué)
申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專(zhuān)利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評(píng)論 ?
2024-06-03 16:44
CASICON晶體大會(huì)前瞻 |
北京大學(xué)
教授沈波:AlN單晶襯底和外延薄膜的制備
評(píng)論 ?
2024-05-30 10:10
北京大學(xué)
鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開(kāi)工
評(píng)論 ?
2024-05-21 09:12
北京大學(xué)
申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專(zhuān)利,降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗
評(píng)論 ?
2024-04-30 16:27
CSPSD 2024成都前瞻|
北京大學(xué)
魏進(jìn):如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用?
評(píng)論 ?
2024-04-15 16:35
北京大學(xué)
取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利,顯著提升器件的光輸出功率
評(píng)論 ?
2024-04-08 19:10
北京大學(xué)
申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專(zhuān)利,實(shí)現(xiàn)電流密度的增加
評(píng)論 ?
2024-03-26 18:37
北京大學(xué)
申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專(zhuān)利,有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入
評(píng)論 ?
2024-03-25 10:36
北京大學(xué)
集成電路學(xué)院半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)量?jī)x采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告
評(píng)論 ?
2024-03-21 11:42
北京大學(xué)
申請(qǐng)大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專(zhuān)利,提高整個(gè)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率
評(píng)論 ?
2024-03-06 10:13
北京大學(xué)
申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專(zhuān)利,能夠降低器件的溝道電阻
評(píng)論 ?
2024-02-06 14:15
北京大學(xué)
申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專(zhuān)利,提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性
評(píng)論 ?
2024-01-17 10:07
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