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安森美官宣：進(jìn)軍垂直氮化鎵

安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來(lái)突破性技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測(cè)和損耗分析

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過(guò)PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法專(zhuān)利

長(zhǎng)春光機(jī)所實(shí)現(xiàn)100 fJ/bit超低功耗高速垂直腔面發(fā)射激光器

中國(guó)科大楊樹(shù)教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專(zhuān)利公布

武漢發(fā)布人工智能產(chǎn)業(yè)新政，每年補(bǔ)助一批垂直大模型，向中小企業(yè)發(fā)放千萬(wàn)元“算力券”

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜深紫外光刻新技術(shù)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專(zhuān)利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

8英寸碳化硅垂直腔外延設(shè)備為什么這么熱？

安森美將斥資20億美元在捷克建設(shè)垂直集成碳化硅工廠

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

安森美：從SiC芯片的制造之旅，看垂直整合的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

氮化鎵的新變局垂直整合成為重要目標(biāo)

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

利用激光垂直剝離突破碳化硅SiC切割成本與效率，晶飛半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資

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