9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將在云南昆明舉辦。屆時(shí)，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）將亮相本次盛會(huì)（展位號(hào)：S16）。同時(shí)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進(jìn)技術(shù)研發(fā)中心主任梁劍波將出席論壇，并帶來(lái)《GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究》的主題報(bào)告。值此，誠(chéng)摯邀請(qǐng)行業(yè)專家學(xué)者、業(yè)界同仁蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，進(jìn)行深入的交流與探討。

嘉賓簡(jiǎn)介

梁劍波，現(xiàn)任江蘇第三代半導(dǎo)體研究院/國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）異質(zhì)集成先進(jìn)技術(shù)研發(fā)中心主任，蘇州晶和半導(dǎo)體科技有限公司董事長(zhǎng)兼技術(shù)總監(jiān)，并兼任大阪公立大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。2009年與2012年分別獲得日本名古屋工業(yè)大學(xué)碩士和博士學(xué)位，之后在大阪市立大學(xué)電力電子實(shí)驗(yàn)室從事博士后研究，2015年起留校任教，2017年曾赴英國(guó)布里斯托大學(xué)合作研究。長(zhǎng)期專注于第一至第四代半導(dǎo)體材料（金剛石、Si、GaAs、GaN、SiC、Ga?O?等）的異質(zhì)集成與常溫直接鍵合技術(shù)研究，開創(chuàng)性地實(shí)現(xiàn)了金剛石與多種半導(dǎo)體材料在室溫下的高強(qiáng)度、低熱阻結(jié)合，解決了寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件散熱和集成的關(guān)鍵難題。他主持和參與包括日本學(xué)術(shù)振興會(huì)（JSPS）、新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）、日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）等資助的12項(xiàng)科研項(xiàng)目。在 Advanced Materials、Nature Communications、Small 等期刊發(fā)表論文150余篇，申請(qǐng)專利12項(xiàng)，出版專著2部。在產(chǎn)業(yè)化方面，他推動(dòng)12英寸常溫鍵合裝備研發(fā)與量產(chǎn)，建立了金剛石基GaN晶圓、3D集成裝備及寬禁帶器件的產(chǎn)業(yè)化路線。其成果已應(yīng)用于半導(dǎo)體CMOS圖像傳感器和功率器件。目前正致力于4英寸及8英寸金剛石基GaN晶圓研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為下一代高功率、高頻率器件與先進(jìn)封裝提供支撐。 

報(bào)告題目：GaAs與Si及GaN的常溫異質(zhì)接合研究 

報(bào)告摘要：GaAs具有較高的電子遷移率和優(yōu)異的光學(xué)特性，已廣泛應(yīng)用于光電子器件和高速電子器件。然而，當(dāng)其與成本低廉、易于實(shí)現(xiàn)大尺寸化的Si基板，或具有高耐壓、高功率特性的GaN基板進(jìn)行異質(zhì)集成時(shí)，仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，在GaAs與Si的異質(zhì)接合中，約4.1%的晶格常數(shù)差會(huì)導(dǎo)致界面產(chǎn)生大量位錯(cuò)和缺陷，這是最大的技術(shù)障礙。此外，兩者熱膨脹系數(shù)不匹配，在加熱工藝中容易引發(fā)較大的應(yīng)力和翹曲，進(jìn)而導(dǎo)致界面剝離或結(jié)合強(qiáng)度下降。同時(shí)，Si表面極易形成天然氧化膜，也會(huì)阻礙界面結(jié)合。而在GaAs與GaN的異質(zhì)接合中，晶體結(jié)構(gòu)差異引發(fā)的晶格失配、熱導(dǎo)率差異、表面化學(xué)特性的不同，以及能帶結(jié)構(gòu)不匹配引起的界面電荷積累，都會(huì)對(duì)接合質(zhì)量與器件性能造成不利影響。為克服這些困難，研究者們嘗試采用常溫直接接合技術(shù)，并取得了重要成果。傳統(tǒng)上，GaAs與其他半導(dǎo)體材料的集成需要高溫工藝，但熱膨脹系數(shù)差異帶來(lái)的應(yīng)力和界面缺陷始終是難以突破的瓶頸。通過(guò)引入表面活化接合技術(shù)（Surface Activated Bonding, SAB），利用等離子體或離子束去除表面氧化層與雜質(zhì)，在原子尺度上實(shí)現(xiàn)界面的清潔與高活性，從而在室溫條件下實(shí)現(xiàn)了原子級(jí)的結(jié)合。研究顯示，GaAs與Si、GaN的常溫接合技術(shù)突破了傳統(tǒng)熱學(xué)與力學(xué)限制，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的半導(dǎo)體異質(zhì)集成，并為光電子與功率電子領(lǐng)域提供了一種具有革新性的技術(shù)平臺(tái)。

單位簡(jiǎn)介

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）【以下簡(jiǎn)稱國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）】圍繞落實(shí)國(guó)家科技創(chuàng)新重大任務(wù)部署，打造國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，促進(jìn)各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同、形成合力，集聚全國(guó)優(yōu)勢(shì)力量為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供創(chuàng)新源頭技術(shù)供給，重點(diǎn)突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)在電力電子、微波射頻和光電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，輻射帶動(dòng)形成一批具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的創(chuàng)新企業(yè)，貫通創(chuàng)新鏈、技術(shù)鏈、人才鏈和產(chǎn)業(yè)鏈，培育發(fā)展新動(dòng)能，加快我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復(fù)支持建設(shè)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院為國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）的建設(shè)主體單位。

國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）聘請(qǐng)郝躍院士擔(dān)任中心主任，核心研發(fā)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)近300人；獲批建設(shè)國(guó)家級(jí)博士后科研工作站、江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體、江蘇省人才攻關(guān)聯(lián)合體；圍繞國(guó)創(chuàng)中心建設(shè)使命，聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，通過(guò)協(xié)同共建，建設(shè)具有國(guó)際先進(jìn)水平、開放共享的公共研發(fā)支撐平臺(tái)，覆蓋材料、工藝、器件、封裝、模塊、測(cè)試分析全產(chǎn)業(yè)鏈，逐步形成系統(tǒng)級(jí)全產(chǎn)業(yè)鏈支撐服務(wù)能力，為產(chǎn)業(yè)提供“全站式”創(chuàng)新服務(wù)，已累計(jì)合作服務(wù)全國(guó)200多家機(jī)構(gòu)和企業(yè)。以市場(chǎng)化機(jī)制協(xié)同優(yōu)勢(shì)創(chuàng)新資源聯(lián)合攻關(guān)，面向關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域全國(guó)范圍內(nèi)合作共建37家聯(lián)合研發(fā)中心、協(xié)同創(chuàng)新中心，在大尺寸氮化鎵材料、全彩 Micro-LED、同質(zhì)外延技術(shù)、可見(jiàn)光通訊（VLC）等關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，累計(jì)布局核心專利近400項(xiàng)，引進(jìn)孵化創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)超過(guò)50個(gè)，加速創(chuàng)新資源快速集聚，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展。

產(chǎn)品介紹

1.半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品

同質(zhì)外延：

同質(zhì)外延技術(shù)可制備高質(zhì)量超薄外延層，是高性能激光器、深紫外LED及高壓功率器件的關(guān)鍵工藝，主要應(yīng)用與光電子、電力電子和紫外探測(cè)等領(lǐng)域。

覆蓋2-4英寸氮化鎵同質(zhì)外延產(chǎn)品

技術(shù)特點(diǎn)：高晶體質(zhì)量（缺陷密度較一致襯底低3-4個(gè)數(shù)量級(jí)）、極低應(yīng)力 

異質(zhì)外延：

異質(zhì)外延是通過(guò)在異質(zhì)襯底（如藍(lán)寶石、硅和碳化硅）上生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）薄膜的技術(shù)，突破晶格失配限制，實(shí)現(xiàn)高性能材料生長(zhǎng)。該技術(shù)是制造高效功率電子、5G射頻器件及Micro-LED的核心工藝，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、通信和顯示領(lǐng)域。

覆蓋2-8英寸氮化鎵外延產(chǎn)品

技術(shù)能力：生產(chǎn)技術(shù)和產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平

2.器件工藝

器件工藝平臺(tái)是國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）的重要研發(fā)平臺(tái)之一，聯(lián)合了20多家裝備龍頭企業(yè)，建成國(guó)內(nèi)首個(gè)第三代半導(dǎo)體工藝與裝備開放共享的公共驗(yàn)證平臺(tái)，涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等全鏈條工藝，支撐微波射頻、電力電子等器件研發(fā)。

3.材料/失效分析測(cè)試

測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)旨在建成第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)創(chuàng)新型測(cè)試分析中心，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)、測(cè)試裝備、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和認(rèn)證體系邁向國(guó)際一流水平，加快新質(zhì)生產(chǎn)力成果轉(zhuǎn)化，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破。

平臺(tái)現(xiàn)有大型專業(yè)設(shè)備30多臺(tái)套，具備材料分析、顯微結(jié)構(gòu)、光電性能、失效分析等測(cè)試功能；擁有一支30多人的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)，自主開發(fā)包括顯微缺陷、微納結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)成分、光電特性、失效模式和失效機(jī)制的系統(tǒng)性解決方案，可為客戶提供專業(yè)、可靠的一站式解決方案。平臺(tái)在支撐自身研發(fā)任務(wù)及合作項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，已累計(jì)為500余家企業(yè)、高校和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供專業(yè)高效的測(cè)試分析服務(wù)。 

四大特色技術(shù)

 附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫(kù)集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽(yáng)能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無(wú)人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧?kù)o（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽(yáng)（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽(yáng)能  美科太陽(yáng)能 高景太陽(yáng)能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽(yáng)光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com